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中温用Ga2Te3基热电半导体及制备方法

649   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:33:09
本发明涉及热电材料领域的中温用Ga2Te3基热电半导体及制备方法。其设计要点在于该热电材料的化学式为(Ga2Te3)(CdTe)x,其中x=0.1~0.4。其制备方法是将单质元素Ga、Cd、Te置于真空石英管内,经950~1150℃合成20~28小时后,将(Ga2Te3)(CdTe)x铸锭随炉冷却至700~900℃后立即在水中淬火,淬火后的(Ga2Te3)(CdTe)x铸锭经粉碎、球磨,再经放电等离子火花烧结(SPS)制成块体,烧结温度为350~550℃,烧结压力40~60Mpa。烧结后的块体材料在真空石英管内退火2500~3000小时,退火温度300~400℃。本发明采用常规的粉末冶金法制备,工艺简单,成本较低;材料具有环保特性,无噪音,适合作为一种绿色能源材料使用。
声明:
“中温用Ga2Te3基热电半导体及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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