本发明提供了一种非平衡态硫族化合物、薄膜及其制备方法,属于记忆体
芯片材料技术领域。该非平衡态硫族化合物的化学分子式通式为XY4,其中Y元素为元素周期表中高挥发性的硫族元素。将X元素和Y元素通过真空熔炼和热压烧结而形成非平衡态化合物。此外,还可以通过等离子溅射将该非平衡态硫族化合物制作为薄膜,该薄膜可以作为新一代记忆体芯片的开关元件的
关键材料,具有优秀的电学性能和稳定性。
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