本发明涉及
纳米材料制备领域,特别涉及一种冶金过程直接制备纳米硅粉体材料的方法。该方法的步骤包括:将含Si的SiMe合金作为阳极进行电解,阴极得到电解精炼金属Me;收集电解产生的阳极泥,将阳极泥用酸处理,去除金属杂质后、用去离子水清洗干净,即得到粒度为20-30nm的纳米硅粉体;所述SiMe合金中,Si的质量百分含量为0.5-13%;余量为Me。与现有制备纳米硅的方法相比,本发明成本低、操作简单,适合于大规模生产。
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“电解精炼过程中直接制备纳米硅粉体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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