本发明公开了一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法,该方法为:一、将NiCo合金基片机械加工后打磨光亮,超声除油,去离子水清洗后自然风干;二、将NiCo合金基片置于水热反应釜中进行热处理,得到含Co的NiO纳米片阵列薄膜;三、焙烧得到Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极。本发明工艺步骤简单,劳动强度低,具有环境友好、制备成本低和可工业放大的优势,制备的Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜作为超级电容器的
正极材料使用时,其比电容是未经改性的NiO纳米片阵列薄膜的2.5~3.8倍,
电化学性能得到大幅提升,尤其是当放电电流密度提高20倍时,其比电容量仍能得到较好维持。
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