本发明涉及一种硅固溶强化VNbMoTaSi高熵合金及其制备方法,属于金属材料及其制备领域。该种合金成分的原子百分比表达式为V
aNb
bMo
cTa
dSi
e,其中20≤a≤35,20≤b≤35,20≤c≤35,20≤d≤35,0.01≤e≤3。所需原料为纯金属,Si以硅单质形式加入。将原料去除氧化皮后,放入真空电弧炉进行熔炼,熔炼4~6次后,可获得单相BCC机构的固溶体合金。本发明将Si固溶到VNbMoTa晶格中,显著地提高了高熵合金的室温和高温强度。尤其是(VNbMoTa)
97.5Si
2.5在1200℃下仍具有超过1Ga的屈服强度,优于目前报道的其他体系的难熔高熵合金。
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