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利用硅合金可控化生长高纯块状晶体硅的方法

1042   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:33:06
一种晶体硅可控化生长及提纯的方法,属于冶金提纯及晶体生长交叉技术领域。该方法构建具有三明治结构“冶金硅‑溶剂金属‑籽晶”的样品原料,放置于具有温度梯度的热场中进行加热、保温,待保温结束后快速淬火冷却至室温,最终分离得到生长速度可控、品质(纯度、杂质分布)可控、晶体取向可控的块状晶体硅,并将冶金硅源、硅合金及籽晶回收重复利用。本发明主要通过添加冶金硅源以促进晶体硅稳定生长,提高生长速率;添加籽晶衬底以有效调控生长硅晶体取向;其次通过添加低熔点溶剂金属与冶金硅形成合金熔体,有效降低晶体硅生长温度,降低能耗,降低生长硅中杂质含量,提高提纯效果。本发明生长提纯晶体硅满足太阳能级硅的要求,节能降耗环保,生产效率高。
声明:
“利用硅合金可控化生长高纯块状晶体硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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