本发明涉及
半导体材料领域,具体而言,涉及生产热电转换材料的方法,包括如下步骤:(A)将质量分数55%-60%的铋、20%-30%的硒和10%-20%的碲混合,组成原料;(B)对原料进行真空熔炼处理,得到半导体热电转换材料BiSeTe金属化合物。本发明是利用真空熔炼的方法,通过在传统的硒化铋材料中,均匀地掺杂了第VI族元素锑在硒化铋的金属合金里面,形成一种BiSeTe金属化合物,改变了材料的能带间隙,从而提高半导体合金里面的电载体自由“电子”的浓度,极大地提高了材料本身的热-电性能,即所谓的ZT参数,掺杂的元素不会产生偏析,或者晶体缺陷。
声明:
“生产热电转换材料的方法、装置及生产溅射靶材的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)