本发明涉及靶材生产制备领域,具体而言,涉及硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法,按配比准备金属化合物的原料;对原料进行真空熔炼处理,得到金属化合物;将金属化合物进行
粉末冶金处理,得到干燥的金属化合物粉末;将干燥的金属化合物粉末进行真空热压烧结处理,得到块状的金属化合物相变材料溅射靶材。本发明所述硫族金属化合物相变材料溅射靶材的生产方法,生产一系列金属化合物相变材料。这些材料,能够实现现有的金属化合物相变材料的相变功能之外,且生产金属化合物相变材料的成本降低。而且,制成的各种金属化合物相变材料比传统的GeSbTe金属化合物相变材料熔点低,故其相变的温度点也较低,使得工艺的窗口得到拓宽。
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