本发明涉及靶材生产制备领域,具体而言,涉及一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法。包括:将质量分数为13%~16%的锗,22%~25%的锑,60%~64%的碲混合,组成原料;对原料进行真空熔炼处理,得到GeSbTe金属化合物;将GeSbTe金属化合物进行
粉末冶金处理,得到干燥的GeSbTe粉末;将干燥的GeSbTe粉末进行真空热压烧结处理,得到锗锑碲相变材料溅射靶材。本发明中的锗锑碲相变材料溅射靶材生产方法,将利用真空熔炼方法,完成锗锑碲所形成稳定化合物制成粉末,使之成分均匀;后将该粉末放入热压机进行高压烧结,形成致密的靶材。用该工艺,解决了粉末成分可能出现不均,或密度不高的技术问题。
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