本发明公开了一种冶金级
多晶硅生产过程中通过掺磷实现吸杂目的的方法,主要技术方案为:将掺磷后的冶金级多晶硅置于赤磷熔点以下温度300~590℃退火0.5~5小时,使磷在冶金级多晶硅中分布均匀,然后将冶金级多晶硅置于800~1000℃退火0.5~20小时。该方法利用磷在高温半导体内部的扩散,硅晶体中的硅-自间隙原子增多,为金属杂质从替代位置移动到间隙位置提供条件,从而加快金属杂质的扩散。最终,在退火过程中,使金属杂质从位错、晶界等晶体缺陷处释放,并扩散到冶金级多晶硅表面而被捕获,最终到达吸杂的目的。本发明提供的一种冶金硅磷吸杂方法,掺磷吸杂效果较好、工艺较简单、成本较低,适合于工业化生产。
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