本发明涉及一种用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈和方法,属于电磁悬浮熔炼技术领域。该用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈,电磁悬浮线圈包括上端线圈和下端线圈;下端线圈与上端线圈为反向串联绕制,绕匝间距为0.5~1.0mm;所述上端线圈为1~2匝,内径为16~22mm;所述下端线圈为3~5匝,内径为16~22mm;所述两个上、下端线圈之间的间距为10~15mm;所述绕制线圈的材料采用直径为4~6mm的空心铜导管,绕制线圈的悬浮样品质量为0.6~1.0g,悬浮样品初始位置为两个线圈之间的间距中心位置下5~10mm。本发明通过改变电磁悬浮线圈的结构特性,使
半导体材料冶金级硅快速升温,促使冶金级硅的电导率急剧上升,使其达到感应加热及悬浮精炼条件。
声明:
“用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈和方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)