本发明属于用物理冶金技术提纯
多晶硅的技术领域。一种高纯硅衬底下电子束熔炼提纯多晶硅的方法,第一步备料及预处理;第二步形成高纯硅衬底:然后开启电子束束流为200-500mA完全熔化高纯硅料,缓慢降低束流为零,即在水冷坩埚中形成高纯多晶硅锭,调节电子束束流为150-300mA熔化高纯多晶硅锭,2-5min后形成一层高纯硅衬底;第三步熔炼提纯:高磷硅料连续缓慢落入熔池中,加大束流至300-700mA,高磷硅料熔化后形成高磷硅液,杂质磷得到去除后从导流口流入坩埚之中,得到低磷硅液,凝固后得到低磷的多晶硅锭。本发明方法提纯效果好,工艺简单,节约能源,降低污染,适合批量生产,设备结构简单,构思独特,操作简单,成本低,可实现连续熔炼。
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