权利要求
1.一种高性能埋阻
铜箔，其特征在于，所述埋阻铜箔依次由
电解铜箔层、阻挡层、电阻合金层、
钴基合金种子层复合而成;
所述钴基合金种子层为钴钽铱钼合金;
所述电阻合金层为
镍、铬、
铝、硅、磷、钴、
锡、钽、铱、钼中的两种及以上元素组成的合金;
所述阻挡层为镍、铬、铝、硅、磷、钴、锡、钽、铱、钼中的一种或两种元素组成的合金。
2.根据权利要求1所述的高性能埋阻铜箔，其特征在于，所述钴基合金种子层中，钴占比为60~70 wt %，钽铱钼占比为30%~40 wt %。
3.根据权利要求1所述的高性能埋阻铜箔，其特征在于，所述钴基合金种子层的厚度为0.01~0.1μm。
4.根据权利要求1所述的高性能埋阻铜箔，其特征在于，所述电阻合金层为镍磷合金或
镍铬合金或硅铬合金或镍钼磷合金或镍钼合金;和/或，所述电阻合金层的厚度为0.1~0.3μm。
5.根据权利要求1所述的高性能埋阻铜箔，其特征在于，所述阻挡层为镍钴合金、镍钛合金、镍锡合金或镍
铝合金。
6.根据权利要求1所述的高性能埋阻铜箔，其特征在于，所述阻挡层的厚度为0.01~0.8μm。
7.根据权利要求1~6任一项所述的高性能埋阻铜箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、载体预处理：将耐高温高分子薄膜载体依次进行碱洗除油、去离子水漂洗、等离子体活化处理;
S2、双面钴基合金种子层制备：采用磁控溅射或化学沉积工艺，在预处理后的耐高温高分子薄膜载体的双侧表面同步制备导电种子层;
S3、双面电阻合金层制备：以含有双面种子层的耐高温高分子薄膜载体为阴极，采用电镀或者磁控溅射工艺，双侧同步电镀或者磁控溅射制备电阻合金层;
S4、双面阻挡层制备：在双侧电阻合金层表面，继续同步电镀或磁控溅射制备阻挡层;
S5、双面铜层制备：在步骤S4的基础上，将两侧的阻挡层分别与电解铜箔叠合，进行热压合，使阻挡层与电解铜箔紧密结合形成一体化复合结构;或，在步骤S4的基础上，在两侧的阻挡层上
电化学沉积铜层，形成一体化复合结构;
S6、载体剥离：待热压合后的复合结构冷却至室温，将中间的耐高温高分子薄膜载体从复合结构中完整剥离，分离后即得到两张独立的高性能埋阻铜箔。
8.根据权利要求7所述的高性能埋阻铜箔的制备方法，其特征在于，还包括以下特征的一项或等多项：
11)步骤S1中，所述耐高温高分子薄膜选自聚酰亚胺、聚苯并咪唑、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种;
12)步骤S1中，所述等离子体活化的功率为150~600W;
13)步骤S1中，所述等离子体活化的处理时间为20~150s;
14)步骤S1中，所述等离子体活化的活化氛围为氩气与氧气混合气体。
9.根据权利要求8所述的高性能埋阻铜箔的制备方法，其特征在于：
141)步骤S1中，所述混合气体中氧气体积占比为10~20%。
10.根据权利要求7所述的高性能埋阻铜箔的制备方法，其特征在于，还包括以下特征的一项或等多项：
51)步骤S5中，所述热压合的温度为190~290℃;
52)步骤S5中，所述热压合的压力为6~22Mpa;
53)步骤S5中，所述热压合的时间为25~130min;
54)步骤S5中，所述电化学沉积的铜层厚度为12~35μm。
说明书
技术领域
[0001]本发明涉及电路材料技术领域，特别是涉及一种高性能埋阻铜箔及其制备方法。
背景技术
[0002]随着5G通信、汽车电子、服务器及高端消费电子的快速发展，印制电路板朝着高密度、超薄化、高频高速方向发展，传统表面贴装电阻占用PCB板面空间大、焊点易失效，无法满足高端电子产品的小型化与高可靠性需求。埋阻铜箔将电阻功能层与铜箔一体化，可直接嵌入PCB内部，实现无源元件埋入，有效缩减电路体积、提升布线密度，成为高端PCB的核心基材。
[0003]现有埋阻铜箔多采用单面制备工艺，生产效率低下，原料损耗大;且直接在铜箔表面沉积电阻层，存在镀层均匀性差、层间结合力弱、高温易出现元素扩散导致阻值漂移等问题;部分采用聚酰亚胺等高分子材料作为载体的工艺，仅能单面制备，无法实现双面同步加工，且剥离难度大，易造成镀层破损，难以实现规模化高效生产。同时，现有工艺缺乏合理的电阻层与阻挡层搭配设计，产品的耐腐蚀、耐高温性能不足，无法适配高端电子设备的使用要求。
发明内容
[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种高性能埋阻铜箔及其制备方法，用于解决现有技术中载体铜箔耐腐蚀、耐高温性能不足，生产效率低下的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种高性能埋阻铜箔，所述埋阻铜箔依次由电解铜箔层、阻挡层、电阻合金层、钴基合金种子层复合而成;
所述钴基合金种子层为钴钽铱钼合金;
所述电阻合金层为镍、铬、铝、硅、磷、钴、锡、钽、铱、钼中的两种及以上元素组成的合金;
所述阻挡层为镍、铬、铝、硅、磷、钴、锡、钽、铱、钼中的一种或两种元素组成的合金。
[0006]优选地，所述钴基合金种子层中，钴占比为60~70 wt %，钽铱钼占比为30%~40 wt%。
[0007]优选地，所述钴基合金种子层的厚度为0.01~0.1μm。
[0008]优选地，所述电阻合金层为镍磷合金或镍铬合金或硅铬合金或镍钼磷合金或镍钼合金。
[0009]优选地，所述电阻合金层的厚度为0.1~0.3μm。
[0010]优选地，所述阻挡层为镍钴合金、镍钛合金、镍锡合金或镍铝合金。
[0011]优选地，所述阻挡层的厚度为0.01~0.8μm。
[0012]本发明还提供一种根据上述所述的高性能埋阻铜箔的制备方法，包括以下步骤：
S1、载体预处理：将耐高温高分子薄膜载体依次进行碱洗除油、去离子水漂洗、等离子体活化处理;
S2、双面钴基合金种子层制备：采用磁控溅射或化学沉积工艺，在预处理后的耐高温高分子薄膜载体的双侧表面同步制备导电种子层;
S3、双面电阻合金层制备：以含有双面种子层的耐高温高分子薄膜载体为阴极，采用电镀或者磁控溅射工艺，双侧同步电镀或者磁控溅射制备电阻合金层;
S4、双面阻挡层制备：在双侧电阻合金层表面，继续同步电镀或磁控溅射制备阻挡层;
S5、双面铜层制备：在步骤S4的基础上，将两侧的阻挡层分别与电解铜箔叠合，进行热压合，使阻挡层与电解铜箔紧密结合形成一体化复合结构;或，在步骤S4的基础上，在两侧的阻挡层上电化学沉积铜层，形成一体化复合结构;
S6、载体剥离：待热压合后的复合结构冷却至室温，将中间的耐高温高分子薄膜载体从复合结构中完整剥离，分离后即得到两张独立的高性能埋阻铜箔。
[0013]优选地，步骤S1中，所述耐高温高分子薄膜选自聚酰亚胺(PI)、聚苯并咪唑(PBI)、聚醚醚酮(PEEK)、聚苯硫醚(PPS)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)中的一种。
[0014]优选地，步骤S1中，所述等离子体活化的功率为150~600W。
[0015]优选地，步骤S1中，所述等离子体活化的处理时间为20~150s。
[0016]优选地，步骤S1中，所述等离子体活化的活化氛围为氩气与氧气混合气体。
[0017]优选地，步骤S5中，所述热压合的温度为190~290℃。
[0018]优选地，步骤S5中，所述热压合的压力为6~22Mpa。
[0019]优选地，步骤S5中，所述热压合的时间为25~130min。
[0020]优选地，步骤S5中，所述电化学沉积的铜层厚度为12~35μm。
[0021]如上所述，本发明的高性能埋阻铜箔及其制备方法，具有以下有益效果：
本发明的高性能埋阻铜箔中钴基合金种子层保证了电镀和磁控溅射的均匀性，电阻合金层实现稳定阻值，阻挡层有效阻隔元素扩散，且利用钴基合金与耐高温高分子光滑表面的结合力天生较弱的特性又一石二鸟地充当了剥离层，使制得的埋阻铜箔阻值均匀误差≤4%，层间结合力强，耐高温、耐腐蚀性能突出。
[0022]本发明的高性能埋阻铜箔的制备方法可以高效量产，且成本降低，本发明采用耐高温高分子薄膜双面载体设计，实现双面可同步电镀电阻合金层、阻挡层，在热压、剥离后一次性产出两张埋阻铜箔，生产效率提升一倍以上，大幅减少原料损耗与加工成本。
[0023]本发明高性能埋阻铜箔的制备方法制得的埋阻铜箔各层间结合紧密，无分层、开裂现象，阻值均匀可控，耐高温、耐腐蚀性能优异。
[0024]本发明提供一种高性能埋阻铜箔，通过多层合金镀层结构设计，提升产品综合性能;同时提供其高效制备方法，实现双面同步制备、一次性产出双张埋阻铜箔，大幅提高生产效率，降低生产成本。
附图说明
[0025]图1为本发明制备过程载体剥离前的埋阻铜箔结构示意图。
[0026]图2为本发明制备过程载体剥离示意图。
[0027]图3为本发明高性能埋阻铜箔的制备方法的流程示意图。
[0028]图4为载体剥离过程中的收卷机构。
具体实施方式
[0029]以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
[0030]当本文中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。例如，从“1~10”的指定范围应视为包括最小值1与最大值10之间的任何及所有的子范围。范围1至10的示例性子范围包括但不限于1至6.1、3.5至7.8、5.5至10等。
[0031]请参阅附图。此外应理解，本发明中提到的一个或多个方法步骤并不排斥在所述组合步骤前后还可以存在其他方法步骤或在这些明确提到的步骤之间还可以插入其他方法步骤，除非另有说明;而且，除非另有说明，各方法步骤的编号仅为鉴别各方法步骤的便利工具，而非为限制各方法步骤的排列次序或限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容的情况下，当亦视为本发明可实施的范畴。
[0032]本发明第一方面提供一种高性能埋阻铜箔，所述埋阻铜箔依次由电解铜箔层、阻挡层、电阻合金层、钴基合金种子层复合而成;
所述钴基合金种子层为钴钽铱钼合金;
所述电阻合金层为镍、铬、铝、硅、磷、钴、锡、钽、铱、钼中的两种及以上元素组成的合金;
所述阻挡层为镍、铬、铝、硅、磷、钴、锡、钽、铱、钼中的一种或两种元素组成的合金。
[0033]本发明的一些实施方式中，所述钴基合金种子层中，钴占比为60~70 wt %，例如为60~62 wt %、62~64 wt %、64~66 wt %、66~68 wt %或68~70 wt %;钽铱钼占比为30%~40 wt%，例如为30~32 wt %、32~34 wt %、34~36 wt %、36~38 wt %或38~40 wt %。本发明中的钴基合金种子层能提升基材的导电性，为电阻层提供良好的生长模板，使电阻层能均匀镀在其上，同时具有提升电阻层均匀性和充当剥离层的功能，使埋阻铜箔与载体由此分离。
[0034]本发明的一些实施方式中，所述钴基合金种子层的厚度为0.01~0.1μm。例如为0.01~0.03μm、0.03~0.05μm、0.05~0.07μm、0.07~0.09μm或0.09~0.1μm。
[0035]本发明的一些实施方式中，所述电阻合金层的厚度为0.1~0.3μm。例如为0.1~0.15μm、0.15~0.2μm、0.2~0.25μm或0.25~0.3μm。
[0036]本发明中，所述电阻合金层具有实现稳定电阻功能。通过调整合金组分与镀层厚度，实现阻值精准调控。本发明的一些实施方式中，所述电阻合金层为镍磷合金或镍铬合金或硅铬合金或镍钼磷合金或镍钼合金。
[0037]本发明中，所述阻挡层可有效阻隔后续铜箔与电阻合金层的元素互扩散，避免高温压合与长期使用过程中阻值漂移，同时增强镀层与铜箔的结合强度，提升耐高温性能，提升产品使用寿命。
[0038]本发明的一些实施方式中，所述阻挡层为镍钴合金、镍钛合金、镍锡合金或镍铝合金。
[0039]本发明的一些实施方式中，所述阻挡层的厚度为0.01~0.8μm。例如为0.01~0.03μm、0.03~0.05μm、0.05~0.1μm、0.1~0.2μm、0.2~0.3μm、0.3~0.4μm、0.4~0.5μm、0.5~0.6μm、0.6~0.7μm或0.7~0.8μm。
[0040]本发明第二方面提供一种如上所述的高性能埋阻铜箔的制备方法，如图3所示，包括以下步骤：
S1、载体预处理：将耐高温高分子薄膜载体依次进行碱洗除油、去离子水漂洗、等离子体活化处理;
S2、双面制备钴基合金种子层：采用磁控溅射或化学沉积工艺，在预处理后的耐高温高分子薄膜载体的双侧表面同步制备导电种子层;
S3、双面制备电阻合金层：以含有双面种子层的耐高温高分子薄膜载体为阴极，采用电镀或者磁控溅射工艺，双侧同步电镀或者磁控溅射制备电阻合金层;
S4、双面制备阻挡层：在双侧电阻合金层表面，继续同步电镀或磁控溅射制备阻挡层;
S5、双面铜层制备：在步骤S4的基础上，将两侧的阻挡层分别与电解铜箔叠合，进行热压合，使阻挡层与电解铜箔紧密结合形成一体化复合结构;或，在步骤S4的基础上，在两侧的阻挡层上电化学沉积铜层，形成一体化复合结构;如图1所示的载体剥离前埋阻铜箔结构示意图;
S6、载体剥离：待热压合后的复合结构冷却至室温，将中间的耐高温高分子薄膜载体从复合结构中完整剥离，分离后即得到两张独立的高性能埋阻铜箔;如图2所示的载体剥离示意图。
[0041]本发明的一些实施方式中，步骤S1中，所述耐高温高分子薄膜选自聚酰亚胺薄膜、聚苯并咪唑、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种。
[0042]本发明中，通过载体预处理去除耐高温高分子材料载体薄膜表面油污与杂质，活化表面微观结构。
[0043]本发明的一些实施方式中，步骤S1中，所述等离子体活化的功率为150~600W。例如为150~200W、200~250W、250~300W、300~350W、350~400W、400~450W、450~500W、500~550W或550~600W。
[0044]本发明的一些实施方式中，步骤S1中，所述等离子体活化的处理时间为20~150s。例如为20~30s、30~40s、40~50s、50~60s、60~70s、70~80s、80~90s、90~100s、100~110s、110~120s、120~130s、130~140s或140~150s。
[0045]本发明的一些实施方式中，步骤S1中，所述等离子体活化的活化氛围为氩气与氧气混合气体。在本发明优选地实施方式中，所述混合气体中氧气体积占比为10~20%。例如为10~12%、12~14%、14~15%、15~17%、17~19%或19~20%。
[0046]本发明的一些实施方式中，步骤S2、S3和S4中，所述磁控溅射的功率为5.7kw，本底真空度为1×10-5pa，镀膜真空度为0.25pa。
[0047]本发明的一些实施方式中，步骤S5中，所述热压合的温度为190~290℃。例如为190~200℃、200~220℃、220~240℃、240~260℃、260~280℃或280~290℃。
[0048]本发明的一些实施方式中，步骤S5中，所述热压合的压力为6~22Mpa。例如为6~8Mpa、8~10Mpa、10~12Mpa、12~15Mpa、15~18Mpa、18~20Mpa或20~22Mpa。
[0049]本发明的一些实施方式中，步骤S5中，所述热压合的时间为25~130min。例如为25~30min、30~40min、40~50min、50~60min、60~70min、70~80min、80~90min、90~100min、100~110min、110~120min或120~130min。
[0050]本发明的一些实施方式中，步骤S5中，所述电化学沉积的铜层厚度为12~35μm。例如为12~15μm、15~18μm、18~20μm、20~22μm、22~25μm、25~28μm、28~30μm、30~32μm或32~35μm。
[0051]下面结合具体实施例与对比例，对本发明作进一步详细说明，所描述的实施例仅用于解释本发明，而非限定本发明的保护范围。下述各实施例中所采用的设备如无特别说明，则表示均为本领域的常规设备;所采用的试剂如无特别说明，则表示均为市售产品或采用本领域的常规方法制备而成，以下实施例中没有做详细说明的均是采用本领域常规实验手段就能实现。
[0052]实施例1
一种高性能埋阻铜箔的制备方法，包括如下步骤：
S1、载体预处理：选取20μm厚PI薄膜，5%氢氧化钠溶液碱洗12min，去离子水漂洗3次，300W等离子体活化80s，活化氛围为氩气与氧气混合气体，氧气体积占比为15%。
[0053]S2、双面钴基合金种子层制备：采用磁控溅射工艺，在预处理后的PI薄膜双侧表面同步制备导电种子层，种子层材料为钴钽铱钼合金，其中，钴占比70%wt，钽铱钼占比为30%wt(钽、铱、钼各占比10wt%)，溅射功率为5.7kw，本底真空度为1×10-5pa，镀膜真空度为0.25pa，厚度为0.01μm。
[0054]S3、双面电阻合金层制备：以含有双面种子层的耐高温高分子薄膜载体为阴极，采用磁控溅射工艺，双侧表面同步磁控溅射制备电阻合金层，电阻合金层材料为镍铬合金，溅射功率为5.7kw，本底真空度为1×10-5pa，镀膜真空度为0.25pa，厚度为0.3μm。
[0055]S4、双面阻挡层沉积：采用磁控溅射工艺，在种子层双侧表面之上同步制备阻挡层，阻挡层材质为镍钴合金，溅射功率为5.7kw，本底真空度为1×10-5pa，镀膜真空度为0.25pa，厚度为0.01μm。
[0056]S5、双面铜层制备：将双面依次沉积种子层、电阻合金层、阻挡层的PI复合膜，两侧分别与电解铜箔叠合，放入热压机进行热压合，热压温度为190~210℃，压力为18~22MPa，保压时间为25~35min，使阻挡层与电解铜箔紧密结合，形成一体化复合结构。
[0057]S6、载体剥离：待热压合后的复合结构冷却至室温，将中间的PI薄膜从复合结构中完整剥离，分离后得到两张独立的高性能埋阻铜箔，采用如图4所示的收卷机构同时分别收卷独立的两张高性能埋阻铜箔和一张载体薄膜，剥离后的埋阻铜箔表面平整、镀层完整，无破损、无残留。
[0058]实施例2
与实施例1的区别是：步骤S2中采用化学镀工艺制备种子层0.1um，其余步骤相同。其中，化学镀工艺具体包括：氨基磺酸钴180~220g/L，氟钽酸钾25~30g/L，氯铱酸8~12g/L，钼酸铵15~20g/L，柠檬酸铵80~100g/L，硼酸30~40g/L，pH控制在4，温度55℃，电流密度3A/dm2，阳极为钴阳极板，沉积时间6min来制备得到0.1um种子层。
[0059]实施例3
与实施例1的区别是：步骤S3中采用磁控溅射工艺制备硅铬合金电阻层0.3um，其余步骤相同。
[0060]实施例4
与实施例1的区别是：步骤S3中采用电化学沉积工艺制备镍钼磷合金电阻层，电流密度为0.1A/dm2，厚度为300nm，其余步骤相同。
[0061]实施例5
与实施例1的区别是：步骤S3中采用电化学沉积工艺制备镍钼合金电阻层，电流密度为0.1A/dm2，厚度为300nm，其余步骤相同。
[0062]实施例6
与实施例1的区别是：步骤S4中采用电化学沉积工艺制备镍铝合金阻挡层0.01um，电流密度为0.1A/dm2，，其余步骤相同。
[0063]实施例7
与实施例1的区别是：步骤S1中采用聚萘二甲酸乙二醇制(PEN)作为载体层。
[0064]实施例8
与实施例1的区别是：步骤S5中无需压合，直接采用双面电化学沉积18um的铜层后，直接可在收卷辊端收两卷埋阻铜箔与一卷高分子载体层，载体层还可重复利用，充当均匀电阻层的生长模板，其余步骤相同。
[0065]对比例1
传统埋阻铜箔的制备方法，包括以下步骤：
S1、采用电解生箔作为基底铜箔;
S2、在步骤S1的基础上采用磁控溅射制备镍铬合金电阻层。溅射功率为5.7kw，本底真空度为1×10-5pa，镀膜真空度为0.25pa，厚度为0.3μm;
S3、在电阻层上进行防氧化处理后得到埋阻铜箔产品。
[0066]对比例2
与对比例1的区别是：采用电化学沉积工艺制备镍钼磷合金电阻层0.3um，电流密度为0.1A/dm2，其余步骤不变。
[0067]性能测试
测定各实验例与对比例对应的相关性能，埋阻铜箔的幅宽均为1280mm，结果如表1所示。
[0068]本发明中耐蚀刻时间为在传统碱性蚀刻液中喷淋蚀刻掉铜层后测试电阻值，测得的电阻值发生突变的时间，其中碱性蚀刻液配方为：氨水，200ml/L;氯化铜，100g/L;氯化铵，90g/L。
[0069]本发明中方阻均匀性测试方法为：在碱性蚀刻液蚀刻掉铜层之后测试1m2面积方阻值，测试点数为200个点位，方阻均匀性计算公式为：
;
其中Rmax为200个点位中的最大方阻值，Rmin为200个点位中的最小方阻值。
[0070]本发明中剥离强度测试方法参考ASTM D1867，使用的半固化片为生益科技的S1000-2M型号。剥离强度指半固化片压合的结合力。
[0071]本发明中载体分离力测试方法参考ASTM D1867，分离力指的是埋阻铜箔从耐高温高分子层上剥离的分离力大小。
[0072]表1 实验例与对比例性能参数
[0073]由各实施例、对比例及表1数据可知：通过对比例1、对比例2与实施例1~8添加阻挡层的样品对比，阻挡层可以显著提升耐蚀刻时间以及通过种子层为电阻层形成自组装模板显著改善了方阻值均匀性，同时因为铜箔表面凹凸不平，而且还会有特殊生长的铜瘤来增加剥离性能，选用耐高温的PI等高分子材料表面平整，制备的电阻层均匀连续才会有如此好的方阻值均匀性。
[0074]通过对比例1、对比例2与实施例1、2相比，发现阻挡层以及种子层的加入能显著提升铜箔的剥离性能。
[0075]通过实施例1和实施例2与对比例1~2对比发现，种子层的厚度略厚会略微降低电阻层的均匀性，但是种子层越厚分离力越小，且种子层的加入仍比不加种子层的方阻均匀性大幅提高，所以需要在分离力与种子层厚度之间折中。
[0076]从对比例1、对比例2与实施例1~8的效率对比，发现实施例的制备方法与传统的制备方法相比增加了膜层数还大幅减少了制备时间，提升了效率约50%，值得注意的是实施例8采用了直接双面电镀铜层来形成埋阻铜箔，无需经过压合工艺，极大的缩短了制备埋阻铜箔的时间，缩短了样品转移的时间，能在一条产线上走完产品的全流程，为埋阻铜箔的高效率量产提供了指导性方法。
[0077]所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具备高度产业利用价值。
[0078]上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
说明书附图(4)
声明：
“高性能埋阻铜箔及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：北方有色网
来源：九江德福科技股份有限公司
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