权利要求
1.一种
碳化硅-
铜-
镍金属陶瓷
复合材料,其特征在于,按质量百分比计,由以下组分组成:碳化硅陶瓷相34%~88%;铜5%~30%;镍5%~30%;界面改性助剂1%~5%;不可避免杂质≤1%;各组分质量百分比总和为100%。
2.根据权利要求1所述的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,其特征在于,所述界面改性助剂为TiO2、Al2O3、SiO2、Co、C中的至少一种或两种以上复合改性剂。
3.根据权利要求1所述的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,其特征在于,材料为致密双相组织,碳化硅形成连续三维骨架结构,铜-
镍合金相均匀填充于骨架间隙中,两相界面结合致密无孔洞、无裂纹、无脱粘、无颗粒团聚。
4.根据权利要求1所述的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,其特征在于,碳化硅晶粒度为30μm~60μm,铜-镍合金相晶粒度为1μm~20μm,复合材料致密度≥95%。
5.根据权利要求1~4任一项所述的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,其特征在于,材料性能满足:硬度≥2600HV;抗冲击功≥3.5J/cm²;断裂韧性KIC≥6.5MPa·m^1/2;抗压强度≥700MPa;具有优良导电导磁性;可承受1500℃至室温水淬循环≥20次不开裂。
6.根据权利要求1所述的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,其特征在于,组成为:碳化硅38%、铜28%、镍29%、复合界面改性助剂4%。
7.根据权利要求1所述的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,其特征在于,组成为:碳化硅60%、铜17%、镍19%、复合界面改性助剂3%。
8.根据权利要求1所述的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,其特征在于,组成为:碳化硅85%、铜5%、镍5%、复合界面改性助剂4%。
9.一种权利要求1~8任一项所述碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,包括:混料2~6小时;采用干压、冷压、热压、温压、注浆、注塑、凝胶注模或3D打印中的至少一种成型;在真空或惰性气氛下1800℃~2050℃烧结2~4小时;后处理得到复合构件。
10.权利要求1~8任一项所述碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料在制备冶金高温构件、军工防弹件、航空航天耐热件、感应发热体、无线充电器件或高端耐磨导电导磁部件中的应用。
说明书
技术领域
[0001]本发明属于金属陶瓷复合材料技术领域,具体涉及一种兼具高硬度、高韧性、优良导电导磁性能与优异抗热震性能的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,同时还涉及该复合材料的标准化制备工艺,以及其在多领域的工业化应用场景,属于先进
陶瓷基复合材料制备与应用技术范畴。
背景技术
[0002]碳化硅陶瓷是目前工业领域应用极为广泛的先进结构陶瓷,具备仅次于金刚石的超高硬度、优异的耐磨耐蚀性、耐高温抗氧化性能以及低密度优势,在冶金高炉构件、军工防弹结构、航空航天耐热部件、高温耐磨机械配件等领域具备不可替代的应用价值。但纯碳化硅陶瓷属于典型的脆性材料,自身断裂韧性差、抗冲击性能弱,同时不具备导电、导磁性能,且高温下加工难度大,无法适配复杂极端工况,尤其是兼具高温、高压、急冷急热、电磁耦合需求的场景,严重限制了其应用范围的进一步拓展。
[0003]金属陶瓷复合材料通过在陶瓷基体中引入金属粘结相,能够有效结合陶瓷的高硬度、高耐磨、耐高温优势与金属的高韧性、良好导电导热性,实现两相性能的协同互补,解决单一陶瓷材料的性能短板。目前现有技术中已有碳化硅-铜-镍体系金属陶瓷的相关研究,但实际应用过程中普遍存在多项技术瓶颈:一是组分适配区间狭窄,性能调控灵活性差,难以适配不同工况的差异化需求;二是陶瓷相与金属相界面结合力弱,易出现界面孔洞、微裂纹、颗粒团聚等缺陷,导致材料致密度偏低;三是高温稳定性不足,抗热震性能差,无法承受高温至室温的急冷急热循环,易出现开裂、变形问题;四是综合性能不均衡,难以同时兼顾高硬度、高韧性、高抗压强度与优良导电导磁性能,无法满足多场景复合工况的使用要求,工业化量产可行性较低。
[0004]基于现有技术的上述缺陷,开发一种组分配比合理、微观结构均匀、界面结合致密、综合性能优异,且具备超强抗热震性能、可耐受极端急冷急热工况、工艺成熟易实现工业化生产的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,突破现有技术瓶颈,满足高端装备制造、军工、航空航天、新能源等领域的核心需求,具备重要的工程应用价值与广阔的市场前景。
发明内容
[0005]发明目的
本发明针对现有碳化硅基金属陶瓷复合材料存在的组分可调性差、界面结合薄弱、致密度低、综合性能不均衡、抗热震性能差、高温稳定性不足以及难以工业化量产等技术问题,提供一种碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料及其制备方法与应用。本发明通过精准优化原料组分配比、调控微观组织结构、优化烧结制备工艺,有效改善陶瓷相与金属相的界面结合状态,大幅提升材料致密度与综合力学性能,使材料同时具备超高硬度、优良抗冲击韧性、高抗压强度、优异导电导磁性能与超强抗热震性能,可在高温极端工况下长期稳定使用,且制备工艺简单可控、适配大规模工业化生产,全面覆盖冶金、军工、航空航天、新能源感应加热、无线充电等多领域的应用需求。
[0006]技术方案
为实现上述发明目的,本发明公开的技术方案具体如下:
[0007]本发明碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,按质量百分比计,由以下组分组成,各组分质量百分比总和为100%:
碳化硅(SiC)陶瓷相:34%~88%,作为材料的核心增强相与连续骨架,提供超高硬度、耐磨性能与耐高温稳定性,是保障材料整体结构强度与耐磨耐高温特性的核心组分;
铜(Cu)金属相:5%~30%,作为粘结相核心组分,有效提升材料整体韧性与导电导热性能,优化陶瓷相与金属相之间的界面相容性,缓解陶瓷相脆性缺陷;
镍(Ni)金属相:5%~30%,与铜形成Cu-Ni合金粘结相,强化陶瓷相与金属相的界面结合力,同时大幅提升材料高温强度、抗氧化性能与导磁性能,弥补纯铜粘结相高温稳定性不足的短板;
界面改性助剂:1%~5%,所述界面改性助剂为TiO2、Al2O3、SiO2、Co、C中的至少一种或两种以上复合改性剂,专门用于改善碳化硅陶瓷相与铜-镍合金相的界面润湿性,消除界面孔洞、微裂纹、颗粒团聚等缺陷,提升两相界面结合致密性与材料整体致密度;
不可避免的杂质:≤1%,严格控制原料与制备过程中的杂质含量,避免杂质干扰微观组织结构形成,保障材料综合性能稳定达标。
[0008]本发明复合材料经过优化制备与致密化烧结处理,形成均匀稳定的致密化双相金相组织,无明显结构缺陷,具体结构特征如下:
组织形态:碳化硅陶瓷相形成连续贯通的三维骨架结构,均匀弥散分布于铜-镍合金粘结基体中,两相界面结合紧密致密,无明显界面孔洞、分离裂纹、颗粒团聚或相脱粘现象,界面结合强度高,从微观结构层面保障材料综合性能均衡;
晶粒度控制:碳化硅晶粒平均晶粒度控制在30μm~60μm,铜-镍合金粘结相平均晶粒度控制在1μm~20μm,陶瓷相与金属相晶粒度配比合理,兼顾硬度与韧性,避免晶粒过大或过小导致的性能短板;
致密度:烧结成型后的复合材料相对致密度≥95%,高致密度可有效避免内部孔隙导致的应力集中问题,保障材料硬度、韧性、抗压强度等核心力学性能稳定发挥,适配极端工况使用。
[0009]本发明复合材料经过性能检测,核心指标满足以下要求,可同时适配力学、高温、电磁多场景复合需求:
力学性能:硬度≥2600HV,抗冲击功≥3.5J/cm²,断裂韧性KIC≥6.5MPa·m^1/2,抗压强度≥700MPa;
电磁性能:导电、导磁性能优异,可高效耦合交变磁场,稳定实现感应发热与感应取电功能,突破传统碳化硅陶瓷无电磁性能的局限;
抗热震性能:可承受1500℃至室温水淬急冷急热循环≥20次不开裂、不剥落、不变形;
工况适应性:在风冷、水冷、油冷等多种冷却介质冲击下,结构稳定性优异,无开裂、变形、表层剥落问题,可在高温急冷急热极端工况下长期使用。
[0010]表1
[0011]由表1可见,纯碳化硅陶瓷虽具备超高抗压强度与硬度,但脆性大、韧性差、抗热震性差、无导电导磁性能,实际应用过程中易发生瞬时脆性断裂,适配场景有限;普通钢材、铸铁材料韧性较好、易加工,但抗压强度、硬度、耐高温性严重不足,无法用于高温极端工况;本发明所述碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料,抗压强度达700~900MPa,同时兼具高硬度、高断裂韧性、优良抗热震性、导电导磁性与耐高温性,全面克服了现有单一材料与同类复合材料的性能缺陷,具备突出的实质性特点和显著的技术进步。
[0012]本发明复合材料制备工艺成熟可控,无需特殊复杂高端设备,工艺参数适配现有工业生产设备,可实现工业化大规模量产,具体包括以下四个标准化步骤:
混料工序:按照上述质量百分比,精准称量碳化硅粉末、铜粉、镍粉及界面改性助剂,将所有原料同步投入混料设备中,混合2~6小时,全程控制混料转速与环境,确保各组分粉末充分混匀、无颗粒团聚、无偏析现象,最终得到分散均匀的混合粉料;
成型工序:根据后续产品结构形状、尺寸与精度需求,选用干压、冷压、热压、温压、注浆、注塑、3D打印成型中的至少一种工艺,将均匀混合粉料制备成预设形状与尺寸的生坯,保障生坯结构完整、密度均匀、无分层开裂缺陷;
烧结工序:将成型后的生坯置于真空烧结炉或气氛保护烧结炉中,在真空或氩气、氮气等惰性气氛保护条件下,匀速升温至1800℃~2050℃,保温烧结2~4小时,完成材料致密化烧结与陶瓷相-金属相界面结合反应,随后随炉自然冷却至室温,得到结构致密的烧结坯体;
后处理工序:根据实际产品精度、表面光洁度与尺寸公差要求,对烧结坯体进行精磨、抛光或常规机加工处理,最终得到尺寸精准、表面光洁、性能达标的碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合构件。
附图说明
[0013]图1为本发明实施例2所述碳化硅-铜-镍金属陶瓷复合材料的内部金相显微组织照片,其中:
• 黑色区域为连续三维分布的碳化硅(SiC)陶瓷增强相,构成材料的骨架结构,提供高硬度、高耐磨及耐高温性能;
• 黄灰色区域为均匀填充于陶瓷骨架间隙中的铜-镍(Cu-Ni)合金粘结相,起到增韧、导电及导磁作用;
• 两相界面结合致密,无明显孔洞、裂纹或脱粘现象,保证了材料优异的综合力学性能与抗热震性能。
[0014]有益效果
本发明相较于现有碳化硅复合材料,具备以下突出有益效果,全面解决现有技术瓶颈,具备极强的工业化应用价值:
组分可调性强,适配多场景差异化需求:原料组分配比范围宽泛,可根据不同工况的性能侧重,灵活调整碳化硅、铜、镍的质量占比,针对性制备出高导电导磁型、超高耐磨型、高温稳定型、防弹防护型、综合均衡型等多款差异化材料,精准适配不同领域的使用要求;
界面结合优良,材料致密度高:通过添加专用界面改性助剂,大幅优化陶瓷相与金属相的界面润湿性,彻底解决界面孔洞、微裂纹、相脱粘等共性缺陷,材料相对致密度≥95%,力学性能稳定可靠,无局部性能薄弱点,使用寿命更长;
综合力学性能优异:完美融合陶瓷相的高硬度、高耐磨特性与金属相的高韧性、高抗压特性,核心力学指标远超常规同类复合材料,高压载荷、冲击载荷下抗变形、抗破损能力突出,克服纯碳化硅陶瓷脆性断裂的核心短板;
导电导磁性能独特,拓宽应用场景:突破纯碳化硅陶瓷不导电、不导磁的技术局限,赋予材料优良导电、导磁性能,可实现电磁感应耦合、感应发热、无线取电功能,成功拓宽材料在新能源感应加热、无线充电等新兴领域的应用;
耐高温与抗热震性能顶尖:可长期耐受1500℃高温,瞬时耐受1800℃高温,且耐急冷急热性能优异,1500℃至室温水淬循环20次以上不开裂,完美适配冶金、航空航天等极端高温工况;
工艺成熟,工业化量产可行性高:制备工艺步骤简洁,烧结温度区间可控,无需特殊定制设备,混料、成型、烧结、后处理全流程工序均适配现有工业生产设备,工艺参数稳定,可实现大规模标准化量产;
应用领域广泛,市场前景广阔:可广泛应用于冶金高温构件、军工防弹结构、航空航天耐热部件、感应发热体、无线充电设备、高端耐磨导电导磁部件等领域,应用场景全面覆盖高端制造、军工、新能源、航空航天等国家核心赛道。
具体实施方式
[0015]下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明,实施例仅用于对本发明的技术方案进行具体说明,不限制本发明的保护范围,本领域技术人员在本发明核心技术方案基础上做出的非创造性改进,均属于本发明的保护范畴。
[0016]实施例1 低碳化硅·高导电导磁高韧性型组分组成(质量百分比):碳化硅38%、铜28%、镍29%、TiO2-Al2O3-Co复合界面改性助剂4%、不可避免杂质≤1%。
[0017]制备工艺:将各组分按配比精准称量后投入混料设备,搅拌混料4小时;采用冷压成型工艺,成型压力30MPa;将生坯置于真空烧结炉,控制真空度≤10-²Pa,匀速升温至2050℃,保温3小时完成致密化烧结;随炉冷却至室温后,经精磨、抛光处理,得到复合材料构件。
[0018]性能检测结果:致密度97.2%,硬度2650HV,抗冲击功4.4J/cm²,断裂韧性7.4MPa·m^1/2,抗压强度830MPa;1500℃水淬循环≥25次不开裂、不变形、不剥落;微观结构显示两相界面结合致密,无孔洞、无裂纹、无脱粘,导电导磁性能优异,适配导电导磁需求突出的场景。
[0019]实施例2 中碳化硅·综合性能均衡型组分组成(质量百分比):碳化硅60%、铜17%、镍19%、SiO2-TiO2-Co复合界面改性助剂3%、不可避免杂质≤1%。
[0020]制备工艺:按配比精准称量所有原料,搅拌混料4小时;采用温压成型工艺,成型压力25MPa;在真空氛围下匀速升温至1900℃,保温4小时完成烧结;随炉冷却后进行抛光处理,得到复合材料成品。
[0021]性能检测结果:致密度96.9%,硬度2800HV,抗冲击功4.0J/cm²,断裂韧性7.0MPa·m^1/2,抗压强度800MPa;1500℃水淬循环≥20次不开裂;陶瓷相与金属相界面结合牢固,硬度、韧性、耐高温性、导电导磁性均衡达标,通用性极强,适配多数常规与中度极端工况。
[0022]实施例3 高碳化硅·超高硬度耐磨型组分组成(质量百分比):碳化硅85%、铜5%、镍5%、Co-Al2O3复合界面改性助剂4%、不可避免杂质≤1%。
[0023]制备工艺:按配比混合所有原料,搅拌混料5小时;采用热压成型工艺;在氩气惰性气氛保护下,匀速升温至1950℃,保温3小时完成烧结;随炉冷却后通过常规机加工成型,得到最终构件。
[0024]:致密度96.6%,硬度2980HV,抗冲击功3.5J/cm²,断裂韧性6.5MPa·m^1/2,抗压强度790MPa;1500℃水淬循环≥20次不开裂;界面结合致密,高温稳定性极佳,耐磨性远超常规同类材料,适配高耐磨、高硬度需求的极端工况。
说明书附图(1)
声明:
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