权利要求
1.一种金属基板半导体制冷片，包括P型半导体、N型半导体和设在P型半导体和N型半导体两端的基板组，其特征在于：所述基板组包括金属板、覆在金属板上的环氧陶瓷导热胶层和覆在环氧陶瓷导热胶上的铜箔，所述金属板、环氧陶瓷导热胶层和铜箔通过热压结合，所述P型半导体和所述N型半导体通过锡焊与经过蚀刻后的铜箔实现电性连接;
在相对的两块基板组之间环绕所有P型半导体和N型半导体填充有用于密封和防震的环氧结构胶。
2.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：所述金属板为铝板，铝板的厚度为0.2mm-2mm。
3.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：所述铜箔的厚度为0.05mm-0.8mm。
4.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于： 所述环氧陶瓷导热胶的厚度为30μm-150μm。
5.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：所述环氧陶瓷导热胶层为氧化铝导热胶层、氮化硼导热胶层、氮化铝导热胶层或二氧化硅导热胶层。
6.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：所述环氧结构胶至少填充至最外圈的P型半导体和N型半导体之间。
7.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：所述金属板为矩形。
8.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：所述金属板为圆形或圆环形。
9.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：在一侧的所述基板组的外表面上设有连续的凸台，所述凸台与基板组的外表面围成容置腔。
10.根据权利要求1所述的金属基板半导体制冷片，其特征在于：在一侧的所述基板组的外表面上设有不连续的凸台，所述凸台与基板组的外表面围成容置腔。
说明书
技术领域
[0001]本实用新型涉及半导体制冷技术领域，具体涉及一种金属基板半导体制冷片。
背景技术
[0002]半导体制冷片简称TEC，是利用半导体的热电效应制取冷量的器件，又称热电制冷器，半导体制冷片具有无噪声、无振动、不需制冷剂、体积小、重量轻等特点，且工作可靠，操作简便，易于进行冷量调节。
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声明：
“金属基板半导体制冷片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：深圳市晨星电器有限公司
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2025年09月25日 ~ 27日 
