权利要求 
	
	1.一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:
	
	S1、将硝酸镧、去离子水、柠檬酸搅匀,形成溶胶后,将溶胶缓慢滴入镁粉悬浮液中,同时滴加氨水调节pH至9~10,持续搅拌,离心分离,洗涤,真空干燥后,置于管式炉中,通入氩气,升温,保温,冷却得到Mg-La2O3核壳颗粒;
	
	S2、将碳酸镁粉末与硅藻土混合均匀后,压制成块,烘烤制得覆盖剂;
	
	S3、将阴极铜板烘烤,高温熔化,投入Mg-La2O3核壳颗粒和硼掺杂石墨烯-硅材料搅拌,并将覆盖剂轻置于熔体表面,冷却,牵引得到铜镁合金铸杆后,均匀切断,预热,挤压,拉制,得到高强度铜镁合金接触线。
	
	2.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺,其特征在于,所述镁粉悬浮液由预处理的镁粉分散在无水乙醇中,高速搅拌30min得到。
	
	3.根据权利要求2所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺,其特征在于,所述预处理的镁粉由镁粉浸泡在质量浓度为5%的稀盐酸中10min,用去离子水洗涤至中性,随后用无水乙醇清洗3次,在60℃下真空干燥12h得到。
	
	4.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中持续搅拌的时间为6~10h,洗涤所用洗涤剂为乙醇、洗涤次数为3~5次,真空干燥温度为60~80℃、时间为5~7h,升温速率为10℃/min、升温至400~600℃,保温时间为2h。
	
	5.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺,其特征在于,所述步骤S1中,在冷却后装入流化床CVD反应器,通入氢气,升温至800℃,保温30min,调节温度至950℃,通入甲烷,生长30min,关闭甲烷,在氢气氛围中冷却至200℃后切换为氩气,冷却至室温,最终制得Mg-La2O3核壳颗粒。
	
	6.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺,其特征在于,所述步骤S2中,烘烤温度为100℃~150℃、时间为3~5h。
	
	7.根据权利要求1所述的一种高强度铜镁合金接触线的制备工艺,其特征在于,所述硼掺杂石墨烯-硅材料由硼酸、氧化石墨烯和硅混合后,球磨30~60min,在氩气和氢气气氛中在900℃下烧结3~5h得到。
	
	8.根据权利要                    
                    				    
				        声明:
				        
				         “高强度铜镁合金接触线及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
				        
				        
				        我是此专利(论文)的发明人(作者)