一种生产氧化亚硅的方法及装置
1.本技术是申请号为201810421185.1，申请日为2018年05月04日，发明名称为一种生产氧化亚硅的方法及装置的分案申请。
技术领域
2.本发明涉及氧化亚硅领域，具体而言，涉及一种生产氧化亚硅的方法及装置。
背景技术：
3.目前，氧化亚硅(sio
x
)是重要的电子和光学材料和锂离子电池负极添加剂。
4.传统上生产氧化亚硅的方法是将单质硅和二氧化硅同摩尔比例混合，然后研磨成微米量级的粉末(颗粒越小混合越均匀，相互间接越紧密越有利于反应)，再在负压环境下加热到1000℃以上的温度进行歧化反应，温度越高越快，这样所形成的氧化亚硅以蒸气的形式溢出，并被带到压力和温度较低的地方并被冷凝成为氧化亚硅固体。其中x并不严格等于一。
5.sio2+si―――sio
x
6.在这一传统工艺中，首先原料成本高、研磨需要消耗大量能量，而且很难均匀混合；其次氧化亚硅沉积在反应器下游管内进行，由于管内壁表面积越来越小，收集效率越来越低。
技术实现要素：
7.本发明的目的之一是提供一种生产氧化亚硅的方法，以改善目前氧化亚硅生产过程复杂，效率低下的问题。
8.为了解决上述问题，本发明提供的技术方案为：
9.一种生产氧化亚硅的方法，将硅单质、不完全氧化的硅、含硅气体(液体)和二氧化硅通过进一步氧化(包括部分氧化不完全氧化)、还原或添加二氧化硅达到生成氧化亚硅的理想配比的前躯体，然后通过在有利于氧化亚硅溢出的条件下如高温升华形成氧化亚硅。
10.一种生产氧化亚硅的方法，包括：
11.a)利用单一前躯体，所述的单一前躯体在一个单独颗粒的不同部分有产生氧化亚硅所必须的单质硅和二氧化硅；进一步地，是将硅单质、不完全氧化的硅、含硅气体、或二氧化硅通过进一步氧化(包括不完全氧化或部分氧化)还原达到生成氧化亚硅的单质硅与二氧化硅接近一比一的摩尔配比的单一原料，然后再在有利于氧化亚硅溢出的条件下如负压(或惰性气体)环境下通过高温歧化反应将氧化硅与相邻单质硅形成氧化亚硅sio
x
升华并被收集；
12.b)含硅气体(一般在室温或低温下可为液体)直接部分不完全氧化生成氧化亚硅。
13.一种生产氧化亚硅的方法，利用含硅的气体与氧化气体如氧气进行不完全和部分氧化反应生成氧化亚硅。述的含硅气体包括硅烷，氯硅烷，和有机硅单体等。
14.优选地
声明：
“生产氧化亚硅的方法及装置与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：储晞
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2025年05月23日 ~ 25日 
