三氯化硼的制造方法与流程

[0001]

本发明涉及三氯化硼的制造方法。

背景技术：

[0002]

作为三氯化硼(bcl3)的制造方法之一，已知使碳化硼(b4c)和氯气(cl2)反应的方法。该反应能够用以下的反应式表示。

[0003]

b4c+6cl2→

4bcl3+c

[0004]

例如在专利文献1中公开了下述方法：将平均粒径为1～4mm的碳化硼装入到反应容器中，加热至600～1200℃后导入氯气，来合成三氯化硼。

[0005]

在先技术文献

[0006]

专利文献

[0007]

专利文献1：日本国专利公开公报2009年第227517号

技术实现要素：

[0008]

然而，在专利文献1所公开的制造方法中，有与氯气反应的碳化硼的温度局部地达到超过1200℃的高温的情况，但由于碳化硼被固定于反应容器内的固定的位置，不会在反应中移动，因此在反应容器中容易发生蓄热。其结果，根据反应容器的材质而有可能产生损伤。

[0009]

本发明的课题是提供反应容器难以产生损伤的三氯化硼的制造方法。

[0010]

为了解决上述课题，本发明的技术方案如以下的[1]～[7]所示。

[0011]

[1]一种三氯化硼的制造方法，具有下述工序：在粉粒体状的碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态下，进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。

[0012]

[2]根据[1]所述的三氯化硼的制造方法，一边向反应容器内连续地供给所述含有氯气的气体和所述碳化硼、并且从所述反应容器连续地排出其反应生成物，一边连续地进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。

[0013]

[3]根据[1]或[2]所述的三氯化硼的制造方法，所述碳化硼的体积基准的平均粒径d50小于500μm。

[0014]

[4]根据[1]～[3]的任一项所述的三氯化硼的制造方法，在600℃以上的温度下进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。

[0015]

[5]根据[1]～[4]的任一项所述的三氯化硼的制造方法，在-0.050mpag以上且0.500mpag以下的压力下进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。

[0016]

[6]根据[1]～[5]的任一项所述的三氯化硼的制造方法，所述含有氯气的气体由50体积％以上且100体积％以下的氯气和余量的惰性气体构成。

[0017]

[7]根据[1]～[6]的任一项所述的三氯化硼的制造方法，所述含有氯气的气体的水蒸气含量小于1体积％。

[0018]

根据本发明，反应容器难以产生损伤。另外，通过连续地反应，能够以低成本制造

三氯化硼。

附图说明

[0019]

图1是用于说明本发明的一个实施方式涉及的三氯化硼的制造方法的三氯化硼制造装置的概略图。

[0020]

图2是对粉粒体状的碳化硼进行干燥的干燥设备的概略图。

[0021]

图3是在比较例中使用的三氯化硼制造装置的概略图。

具体实施方式

[0022]

对本发明的一个实施方式进行说明。再者，本实施方式表示本发明的一例，本发明并不被本实施方式限定。另外，能够对本实施方式进行各种的变更或改良，进行了那样的变更或改良后的方式也能包含在本发明中。例如，在本实施方式中例示的材料、尺寸等为一例，本发明并不被其限定，能够在能获得本发明的效果的范围内适当变更而实施。

[0023]

本实施方式的三氯化硼的制造方法，具有下述工序：在粉粒体状的碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态下，进行含有氯气的气体中的氯气与碳化硼的反应。

[0024]

如果在反应容器内在碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态下进行含有氯气的气体中的氯气与碳化硼的反应，则碳化硼不会被固定在反应容器内的固定的位置而在反应中移动，因此在反应容器中难以产生由反应热引起的蓄热。因此，反应容器内不会局部地成为高温，难以产生反应容器的损伤。

[0025]

在反应容器内形成为碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态的方法，并不特别限定。例如，可以通过向装入到反应容器内的碳化硼供给含有氯气的气体来将碳化硼吹起而使其流动。另外，也可以通过向反应容器内同时供给碳化硼和含有氯气的气体来使碳化硼流动。或者，也可以通过向填充有含有氯气的气体的反应容器内供给碳化硼来使碳化硼流动。例如，如果从填充有含有氯气的气体的反应容器的上部供给碳化硼、并使碳化硼从反应容器的上部向底部落下，则能够形成为碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态。

[0026]

即，要是能够形成为碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态的话，则碳化硼向反应容器中的导入形态可以是立式导入形态，也可以是卧式导入形态。

[0027]

向反应容器中供给碳化硼的方法，只要是能够稳定地供给粉粒体状的碳化硼，就并不特别限定，可列举例如使其从料斗自然落下的方法、使用螺杆给料机、振动给料器、圆盘给料机(circle feeder)等给料机的方法。

[0028]

在向反应容器中导入含有氯气的气体时，含有氯气的气体的导入方向(即，含有氯气的气体流动的方向)并不特别限定，但优选沿与碳化硼的移动方向相反的方向(即，对向的方向)导入。如果那样的话，则能够延长碳化硼的滞留时间，碳化硼变得容易反应。

[0029]

本实施方式的三氯化硼的制造方法，能应用于分批式(间歇式)的反应，也能应用于连续式的反应。在进行分批式的反应的情况下，反复进行以下操作：向反应容器内装入含有氯气的气体和碳化硼，含有氯气的气体中的氯气与碳化硼的反应结束后就将包含三氯化硼的反应生成物从反应容器排出，向反应容器内重新装入含有氯气的气体和碳化硼，再次进行反应。

[0030]

另一方面，在进行连续式的反应的情况下，一边向反应容器内连续地供给含有氯

气的气体和碳化硼、并且从反应容器连续地排出包含三氯化硼的反应生成物，一边连续地进行含有氯气的气体中的氯气与碳化硼的反应。即，原料的投入、反应、生成物的回收全部同时且连续地进行。

[0031]

间歇式的反应，需要在反应结束后将作为反应残渣的碳化硼等从反应容器排出、并重新投入作为原料的碳化硼，因此有时生产率不充分。与此相对，如上述那样的连续式的反应，能够连续地制造三氯化硼，因此低成本且生产率优异。因此，适合于三氯化硼的工业性制造。

[0032]

以下，对本实施方式的三氯化硼的制造方法进行更详细的说明。

[0033]

粉粒体状的碳化硼的粒子的尺寸并不特别限定，但将体积基准的平均粒径d50优选设为小于500μm，更优选设为小于100μm，进一步优选设为小于50μm。碳化硼的粒子的尺寸小时，容易使其流动，因此在反应容器中难以发生蓄热，反应容器难以产生损伤。另外，在碳化硼与含有氯气的气体的接触时间短的情况下，碳化硼的粒子的尺寸小时，反应容易达到碳化硼的粒子的中心部，碳化硼的反应率容易变高。

[0034]

另一方面，碳化硼的粒子的体积基准的平均粒径d50优选设为10nm以上，更优选设为100nm以上，进一步优选设为500nm以上。如果碳化硼的粒子的体积基准的平均粒径d50在上述那样的范围内，则静电的影响小，碳化硼难以附着于反应容器。另外，体积基准的平均粒径d50小于100nm的碳化硼有时难以操作处理。

[0035]

再者，本发明中的平均粒径d50意指在体积基准的累积粒径分布中从小粒径侧起的累积频度成为50％的粒径。d50能够利用激光衍射法等进行测定。例如能够使用

マイクロトラック

·

ベル

株式会社制的激光衍射-散射式粒径分布测定装置

マイクロトラック

mt3300ex进行测定。作为在测定时使粉粒体状的碳化硼分散的分散溶剂，能够使用例如乙醇。

[0036]

根据以上所述，在本实施方式的三氯化硼的制造方法中，能够使用廉价的研磨材料用碳化硼微粉。

[0037]

另外，优选在本实施方式的三氯化硼的制造方法中使用的碳化硼的水分含量低。碳化硼含有的水会与三氯化硼反应而生成硼酸。生成的硼酸有可能使三氯化硼制造装置的配管等管路堵塞。

[0038]

碳化硼的水分含量优选为小于1质量％，更优选为小于0.2质量％。粉粒体状的碳化硼的水分含量通常为1质量％以上，因此优选在供于反应之前使其干燥而使水分含量降低。碳化硼的干燥方法并不特别限定，能够采用加热干燥等一般的干燥方法。

[0039]

含有氯气的气体中的氯气与碳化硼的反应温度，只要是反应进行的温度，就并不特别限定，但为了充分提高碳化硼的反应率，优选设为600℃以上，更优选设为800℃以上。另外，为了在抑制反应容器的损伤的同时抑制能源成本，含有氯气的气体中的氯气与碳化硼的反应温度优选设为1200℃以下，更优选设为1100℃以下。

[0040]

使含有氯气的气体和碳化硼的温度成为上述反应温度的方法并不特别限定，例如，可以在将常温的含有氯气的气体和碳化硼导入到反应容器内后，用通常的加热方法加热含有氯气的气体和碳化硼，也可以在将常温的碳化硼配置于反应容器内后向反应容器内导入高温(例如600℃以上且1200℃以下)的含有氯气的气体。

[0041]

含有氯气的气体中的氯气与碳化硼的反应压力并不特别限定，但为了充分保持反应容器的气密性，优选设为0.500mpag以下。另外，为了充分提高碳化硼的反应率，优选设

为-0.050mpag以上。

[0042]

作为在本实施方式的三氯化硼的制造方法中使用的含有氯气的气体，能够使用由50体积％以上且小于100体积％的氯气和余量的惰性气体构成的混合气体，但优选使用由90体积％以上且小于100体积％的氯气和余量的惰性气体构成的混合气体，更优选使用不含有惰性气体的100体积％的氯气。若使用由氯气和惰性气体构成的混合气体作为含有氯气的气体，则生成的三氯化硼与惰性气体混存，需要进行它们的分离。能够使用于混合气体中的惰性气体的种类并不特别限定，但可列举例如氮气、氩气、氦气。

[0043]

另外，基于与碳化硼的情况同样的理由，优选在本实施方式的三氯化硼的制造方法中使用的含有氯气的气体的水蒸气含量低。含有氯气的气体的水蒸气含量优选为小于1体积％，更优选为小于100体积ppm。优选将含有氯气的气体在供于反应之前进行干燥而使水蒸气含量降低。

[0044]

含有氯气的气体的干燥方法并不特别限定，例如能够通过使其与干燥剂接触来进行干燥。作为干燥剂的例子，可列举沸石，作为具体例，可列举分子筛3a、分子筛4a、高硅沸石aw300、高硅沸石aw500。沸石可以单独使用1种，也可以并用两种以上。另外，干燥剂也可以含有沸石以外的其他成分。

[0045]

含有氯气的气体的使用量并不特别限定，能够根据反应容器的形状来适当选择。例如能够使用内径10～100mm、长度(进行反应的部分的长度)200～2000mm的管状的反应容器。而且，每1kg碳化硼的含有氯气的气体的使用量，优选设为100l以上，更优选设为2000l以上。但是，根据反应条件、反应容器的形状、尺寸等，也有时供给到反应容器中的碳化硼没有完全地反应而残留未反应的碳化硼，因此适宜根据状况进行调整。

[0046]

反应容器的材质只要是不会被氯气、三氯化硼、氯化氢等腐蚀的材质，就并不特别限定，可列举例如石英、石墨、金属、陶瓷。

[0047]

采用本实施方式的三氯化硼的制造方法制造的三氯化硼，有时作为杂质含有氯气、氧气、氮气、二氧化碳、一氧化碳、甲烷、氢气、氦气、氯化氢、四氯化硅等。这些杂质能够通过一般的蒸馏而从三氯化硼中除去。

[0048]

以下，参照表示三氯化硼制造装置的一例的图1来对本实施方式的三氯化硼的制造方法进行更详细的说明。再者，在图1中，为了容易理解本发明的特征，有时为了便于说明而将主要部分放大来图示，图1中所示的各构成要素的尺寸比率等不一定与实际的三氯化硼制造装置相同。

[0049]

图1中所示的三氯化硼制造装置，具备：填充有氯气的氯气容器1(例如储气瓶)、填充有作为惰性气体的氮气的氮气容器2(例如储气瓶)、进行氯气和惰性气体的干燥的干燥装置3、进行含有氯气的气体和粉粒体状的碳化硼4的反应的石英制的管状反应容器5、向管状反应容器5供给粉粒体状的碳化硼4的供给装置6(例如给料机)、测定管状反应容器5内的温度的温度传感器7(例如热电偶)、加热管状反应容器5的加热装置8、和能够分析气体中的三氯化硼、水蒸气、氯化氢等的傅里叶变换红外光谱装置9。

[0050]

管状反应容器5被设置成其中心轴沿着铅垂方向，在其下侧端部，经由连接用法兰11连接了从干燥装置3延伸的配管10。另外，在管状反应容器5的上侧端部，经由连接用法兰21连接了向傅里叶变换红外光谱装置9延伸的配管20。作为傅里叶变换红外光谱装置9，例如能够使用

サーモフィッシャーサイエンティフィック

公司的红外光谱分析装置nicolet is5。

[0051]

这些连接用法兰11、21能够被冷却装置23冷却。即，冷却装置23具备的冷却用配管24以与连接用法兰11、21接触的方式配置，通过利用冷却装置23使冷却水等致冷剂在冷却用配管24中循环，从而冷却连接用法兰11、21。

[0052]

干燥装置3具备收纳有沸石等干燥剂31的管状的干燥容器32和加热干燥容器32的加热装置33。干燥容器32的材质为例如sus316等金属。在因被使用于氯气、惰性气体的干燥而吸收了水从而干燥剂31的干燥能力降低了的情况下，如果停止氯气的供给，用加热装置33加热干燥容器32而将干燥剂31升温至例如200℃，在惰性气体的流通下烧成例如10小时，则能够再生(再现)干燥剂31的干燥能力。

[0053]

在制造三氯化硼时，首先，从氯气容器1经由配管12、10向管状反应容器5导入氯气。在向管状反应容器5导入用惰性气体稀释氯气而成的混合气体的情况下，在配管12的中间部分(即，在比管状反应容器5靠上游侧)将氯气和氮气混合，将在配管12内调制的混合气体经由配管10向管状反应容器5导入。即，配置有将氮气容器2和配管12的中间部分连通的配管13，氮气从氮气容器2经由配管13而被导入到配管12的中间部分，从而氯气和氮气被混合。

[0054]

再者，由于在配管10与配管12之间配置有干燥装置3，因此氯气或混合气体(以下将这两种气体统一记为“含有氯气的气体”)在从干燥装置3的干燥容器32内通过后被导入到管状反应容器5中。因此，含有氯气的气体在与干燥容器32内的干燥剂31接触而被干燥后被导入到管状反应容器5中。

[0055]

粉粒体状的碳化硼4由供给装置6供给至管状反应容器5中，在管状反应容器5内与含有氯气的气体接触。由于管状反应容器5内被加热装置8加热至所期望的温度(例如600℃以上的温度)，因此在管状反应容器5内含有氯气的气体中的氯气与碳化硼4接触而进行反应，生成三氯化硼。生成的三氯化硼被含有氯气的气体送出，并从管状反应容器5的上侧端部排出。

[0056]

管状反应容器5内的温度(即反应温度)，能够通过基于用温度传感器7测定出的温度调节加热装置8的输出来进行控制。温度传感器7例如只要被设置成测定管状反应容器5的内部的轴向中央部的温度即可。例如，如果是温度传感器7为热电偶的情况，则只要将热电偶的测温接点配置于管状反应容器5的内部的轴向中央部即可。

[0057]

另外，管状反应容器5内的压力(即反应压力)能够基于用压力传感器15、26测定出的压力进行调节。压力传感器15、26例如只要设置于配管10中的管状反应容器5的下侧端部附近的部分和配管20中的管状反应容器5的上侧端部附近的部分即可。

[0058]

碳化硼4由供给装置6从上侧端部向管状反应容器5供给。由于管状反应容器5被设置成其中心轴沿着铅垂方向，因此从上侧端部供给的碳化硼4在管状反应容器5内从上方向下方落下。另一方面，含有氯气的气体被从管状反应容器5的下侧端部导入，因此沿着与碳化硼的移动方向相反的方向流动，成为在含有氯气的气体中粉粒体状的碳化硼4流动的状态。例如在内径10～1000mm、长度(进行反应的部分的长度)200～2000mm的管状反应容器的情况下，能够在500～10000ccm(cm3/分钟)的范围内适当选择含有氯气的气体的流量。

[0059]

通过使含有氯气的气体流动的方向和碳化硼4的移动方向为相反的方向，碳化硼4的移动速度降低，在反应容器内的滞留时间变长，因此碳化硼4的反应率变得更高。再者，如果成为在含有氯气的气体中粉粒体状的碳化硼4流动的状态，则就含有氯气的气体而言，也

可以与碳化硼4同样地从管状反应容器5的上侧端部导入。在该情况下，含有生成的三氯化硼的含有氯气的气体从管状反应容器5的下侧端部排出。

[0060]

根据反应条件、管状反应容器5的形状、尺寸等，有供给至管状反应容器5中的碳化硼4的全部量进行反应的情况、和不能够全部量进行反应而残留未反应的碳化硼4的情况。残留的碳化硼4的粒子落下到管状反应容器5的下侧端部，被设置于管状反应容器5的下方并与管状反应容器5的下侧端部连接的接收容器28回收。

[0061]

从管状反应容器5的上侧端部排出的三氯化硼，与含有氯气的气体一起经过傅里叶变换红外光谱装置9后，经由配管20被送至三氯化硼制造装置的外部，并供于精制(纯化)工序等的后处理工序。在傅里叶变换红外光谱装置9中，能够进行三氯化硼等的分析，因此能够算出三氯化硼的纯度、收获量、收率等。

[0062]

再者，碳化硼4有时含有水分，因此优选在干燥后供于反应。碳化硼4的干燥例如能够利用图2所示的干燥设备来进行。图2所示的干燥设备具备具有气密性的金属制容器41和加热金属制容器41的加热器43。向金属制容器41中填充粉粒体状的碳化硼4，向金属制容器41中流通氮气，并且，利用加热器43将金属制容器41加热而升温至例如200℃，保温例如4小时。干燥结束后就冷却到室温，使金属制容器41内的碳化硼4移动到三氯化硼制造装置的供给装置6中，供于反应。

[0063]

实施例

[0064]

以下，示出实施例和比较例，来更具体地说明本发明。

[0065]

〔实施例1〕

[0066]

使用与图1的三氯化硼制造装置同样的构成的三氯化硼制造装置，进行与上述实施方式同样的操作，使粉粒体状的碳化硼和含有氯气的气体反应，来制造出三氯化硼。管状反应容器的直径为38mm，长度为1400mm，材质为石英。以下说明详细的情况。

[0067]

作为含有氯气的气体，使用了纯度为99.999体积％、水蒸气含量为0.9体积ppm的市售的高纯度氯气。

[0068]

作为碳化硼，使用了利用激光衍射法测定出的d50为20.88μm的粉粒体状的碳化硼(制造公司名：理研

コランダム

株式会社)。然后，该碳化硼使用图2所示的干燥设备进行了干燥。干燥条件为与上述同样的条件，在氮气流通下在200℃保温4小时。

[0069]

收纳于干燥容器32中的干燥剂31是高硅沸石aw500(制造会社名：

ユニオン

昭和株式会社)，且是在氮气流通下在200℃进行了10小时的烧成的。

[0070]

在开始反应之前，以1500ccm的流量从氮气容器2向三氯化硼制造装置的整体中流通氮气，清洗(purge)1小时以上。清洗时，一边用冷却装置23冷却连接用法兰11、21，一边用加热装置8将管状反应容器5加热至800℃(设定温度)。

[0071]

清洗结束后，停止氮气的流通，从氯气容器1向管状反应容器5中导入氯气。然后，在温度为25℃、压力为0mpag(1大气压)的状态下，将氯气的流量设为1800ccm(cm3/分钟)，从供给装置6向管状反应容器5以1g/分钟的速度供给碳化硼，使氯气与碳化硼反应2小时。再者，氯气的流量1800ccm若进行摩尔换算，则为4.42摩尔/小时，碳化硼的供给速度1g/分钟若进行摩尔换算，则为1.085摩尔/小时。

[0072]

由于供给过剩量的碳化硼，因此生成与氯气的流量相应的量的三氯化硼。若假定氯气的转化率为100％、选择率为100％、收率为100％，则三氯化硼的生成速度为2.94摩尔/

小时(4.42摩尔/小时

×

4/6)。

[0073]

加热装置8的设定温度为800℃，但在反应中由温度传感器7测定出的管状反应容器5内的温度为807℃，几乎没有与设定温度的差异。

[0074]

即，在实施例1中，由于在粉粒体状的碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态下进行反应，因此在管状反应容器5中难以发生蓄热，管状反应容器5内的温度不会上升到背离设定温度的高温。其结果，在实施例1中，管状反应容器5没有产生由高温导致的损伤。

[0075]

将含有生成的三氯化硼的氯气送至傅里叶变换红外光谱装置9(制造会社名：

サーモフィッシャーサイエンティフィック

公司)中进行分析，算出氯气中的三氯化硼的含有率。分析条件如下。傅里叶变换红外光谱装置9的窗板的材质为氯化银(agcl)，比色皿(cell length)长度为1cm，数据间隔为0.964cm-1

，扫描次数为16。分析中所使用的波数为1908cm-1

。另一方面，氯气浓度通过采用硫代硫酸钠进行的滴定来求出。分析的结果，三氯化硼的生成速度为273g/小时(2.33摩尔/小时)。因此，在氯气基准下的收率为79％。

[0076]

作为实施例2～13，在表1中所示的条件下进行了反应和分析。如实施例2～5、12所示，在580～1100℃的范围内设定了管状反应容器的温度，但也没有管状反应容器的损伤，能够良好地生成三氯化硼。另外，如实施例6～8所示，使作为原料的碳化硼的平均粒径d50在50nm～480μm的范围内进行了变化，但也没有管状反应容器的损伤，能够良好地生成三氯化硼。

[0077]

而且，如实施例9、10、13所示，使管状反应容器的压力在-0.06～0.05mpag的范围内进行了变化，但也没有管状反应容器的损伤，能够良好地生成三氯化硼。而且，如实施例11所示，使含有氯气的气体的氯气含量为50体积％，但也没有管状反应容器的损伤，能够良好地生成三氯化硼。

[0078][0079]

〔比较例1〕

[0080]

作为原料的碳化硼，使用粒径为1～3mm的粒状的碳化硼，在碳化硼在含有氯气的气体中不流动的状态下进行反应；加热管状反应容器105的加热装置108的设定温度为850

℃；氯气的流量为567ccm，除了以上点以外，与实施例1同样地进行了反应和分析。

[0081]

即，不是一边使碳化硼104落下一边进行反应，而是使用图3所示的三氯化硼制造装置，在反应开始前将碳化硼104填充到管状反应容器105中，在碳化硼104的位置不移动而被固定了的状态下进行了反应。

[0082]

再者，图3中的标记101表示氯气容器，标记102表示氮气容器，标记103表示干燥装置，标记107表示温度传感器，标记109表示傅里叶变换红外光谱装置，标记110、112、113、120表示配管，标记111、121表示连接用法兰，标记115、126表示压力传感器，标记123表示冷却装置，标记124表示冷却用配管，标记131表示干燥剂，标记132表示干燥容器，标记133表示加热装置。

[0083]

其结果，碳化硼与氯气的反应，以约1cm/小时的速度从管状反应容器105的下部向上部进行。在反应中由温度传感器107测定出的反应点(热点)的温度为1210℃，与设定温度之间存在大的差异。即认为，在比较例1中，由于在碳化硼的位置不移动而被固定了的状态下进行反应，因此管状反应容器105容易发生蓄热，管状反应容器105内的温度上升至背离了设定温度的高温。其结果，在比较例1中，管状反应容器105发生了由高温导致的损伤。

[0084]

在从反应开始起的约5小时时三氯化硼的生成量变为零，反应结束了。分析的结果，氯气中的三氯化硼的含有率为95体积％以上，三氯化硼的生成速度为117g/小时。

[0085]

附图标记说明

[0086]1????

氯气容器

[0087]2????

氮气容器

[0088]4????

碳化硼

[0089]5????

管状反应容器

[0090]6????

供给装置

[0091]8????

加热装置

[0092]9????

傅里叶变换红外光谱装置技术特征：

1.一种三氯化硼的制造方法，具有下述工序：在粉粒体状的碳化硼在含有氯气的气体中流动的状态下，进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。2.根据权利要求1所述的三氯化硼的制造方法，一边向反应容器内连续地供给所述含有氯气的气体和所述碳化硼、并且从所述反应容器连续地排出其反应生成物，一边连续地进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。3.根据权利要求1或2所述的三氯化硼的制造方法，所述碳化硼的体积基准的平均粒径d50小于500μm。4.根据权利要求1～3的任一项所述的三氯化硼的制造方法，在600℃以上的温度下进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。5.根据权利要求1～4的任一项所述的三氯化硼的制造方法，在-0.050mpag以上且0.500mpag以下的压力下进行所述含有氯气的气体中的氯气与所述碳化硼的反应。6.根据权利要求1～5的任一项所述的三氯化硼的制造方法，所述含有氯气的气体由50体积％以上且100体积％以下的氯气和余量的惰性气体构成。7.根据权利要求1～6的任一项所述的三氯化硼的制造方法，所述含有氯气的气体的水蒸气含量小于1体积％。

技术总结

提供反应容器难以产生损伤的三氯化硼的制造方法。一种三氯化硼的制造方法，具有下述工序：在粉粒体状的碳化硼(4)在含有氯气的气体中流动的状态下进行含有氯气的气体中的氯气与碳化硼(4)的反应。气与碳化硼(4)的反应。气与碳化硼(4)的反应。

技术研发人员：窦君 毛利早纪 栗原秀行

受保护的技术使用者：昭和电工株式会社

技术研发日：2019.06.04

技术公布日：2021/2/2