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分布式光伏组件、单面异质结太阳电池的制备方法

186   编辑：中冶有色网   来源：国电投新能源科技有限公司  
2025-10-13 14:37:07
权利要求 1.一种分布式光伏组件、单面异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤： (1)第一次制绒，将硅片置于KOH或NaOH、异丙醇添加剂和超纯水的混合溶液中，反应，硅片正反表面形成金字塔结构; (2)钝化层制备，使用PECVD在电池正背面分别沉积本征非晶硅层，钝化晶硅界面; (3)发射极制备，使用PECVD在电池正背面分别沉积掺杂非晶硅或纳米晶硅层，正面沉积磷掺杂非晶硅/纳米晶硅，与晶硅形成nn+高低异质结构，背面沉积硼掺杂非晶硅/纳米晶硅，与晶硅形成np异质结构作为电池的背发射极; (4)TCO层制备，使用PVD或RPD在电池正背面分别溅射一层高透过的导电薄膜，用来收集载流子; (5)电镀种子层制备： 方案一：使用PVD、RPD或蒸镀的方式在电池正背面分别沉积一层种子层，种子层的种类为铜、镍、铝、锰、钼、铜镍合金、铜锰合金或铜钼合金; 或者方案二：使用PVD、RPD或蒸镀的方式在电池正面沉积一层种子层，种子层的种类为铜、镍、锰、钼、铜镍合金、铜锰合金或铜钼合金;再使用PVD、RPD或蒸镀的方式在电池背面沉积一层种子层，种子层的种类为耐腐蚀性金属; (6)正背面图形化，使用曝光显影的方式在栅线沟槽以外的其他区域进行对位掩膜，首先在具有电镀种子层的电池正背面印刷油墨，然后曝光，最后再显影，留下掩膜区域的油墨，形成栅线沟槽; (7)铜电镀，使用垂直连续电镀的方式在栅线沟槽处电镀铜栅线，正面主栅宽度50-80µm，正面副栅宽度10-40µm，高度5-20µm;背面主栅宽度50-250µm，背面副栅宽度20-80µm，高度5-20µm; (8)去油墨掩膜层，将电镀完的电池浸泡在含KOH或NaOH的溶液中，去除油墨掩膜层; (9)当步骤(5)中使用方案一时： 去正面种子层，在电池背面覆盖一层水膜作为保护层，使用链式刻蚀机，将电池正面朝下，正面被稀硫酸或稀硝酸溶液覆盖，去除正面铜栅线以外的种子层，然后用超纯水清洗干净再烘干，最终背面种子层得以保留，得到单面铜栅线异质结太阳电池; 当步骤(5)中使用方案二时： 去正面种子层，使电池正面被稀硫酸或稀硝酸
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异质结太阳电池 太阳电池
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