一种ito废靶重制ito粉、高密度靶材及其制备方法技术领域1.本发明属于ito靶材生产技术领域，具体涉及一种ito废靶重制ito粉、高密度靶材及其制备方法。背景技术：2.ito靶材是一种铟锡复合氧化物陶瓷材料，基于该靶材制备的半导体薄膜具有高电子迁移率、高透光率和低生长温度的优异特性，因此被广泛使用，年用量已超过1000吨；但由于技术限制，目前ito旋转靶和平面靶利用率分别为75％和35％，大量的残靶和废靶无法正常使用；由于铟是一种宝贵的稀缺资源，必须做好铟的循环利用工作。3.目前，针对废靶的回收方法主要有三种。第一种是通过湿法回收，将铟锡分离，得到粗铟后再重新制备ito靶材，由于工序流程多，设备容易腐蚀，会产生废水，导致回收成本高；第二种是在超高温度条件下，将ito废靶直接气化，冷凝后得到细颗粒的ito粉末，cn102367519a利用等离子设备产生高温电弧，在3000～6000℃的高温作用下，得到平均粒径《100nm的ito粉末；cn113387682a将靶材置于4000～5000℃的高温条件下气化，得到纯度4n，比表面6-8cm2/g的ito粉；这种方法由于耗能大，设备昂贵以及生产时间长等原因，不利于大规模生产。第三种是通过挤压、球磨、气流破碎等物理破碎方式，将ito靶材直接粉碎后重新制备ito靶材，专利cn112079627a公开了一种由ito废靶经过三级粉碎制粉并生产ito靶材的制备方法，得到粒径小于200目的废靶材粉末，经过成型烧结后，得到的靶材相对密度大于99.7％。专利cn113149611a公开了一种ito废靶坯回收制备的ito粉末、靶材及其制备方法，将粉碎后的废靶坯热处理后，再进行球磨制浆，球磨30～60h后，得到颗粒粒径d50＝50～200nm的ito浆料，烧结得到的靶材相对密度可达99.79％。cn111632730a通过18～24h的振动球磨，将粒径小于10um的ito粉末处理成100～500nm的ito粉末；这种方法虽然简单，但得到的ito粉末颗粒大小不均匀，破碎时间长，即使通过气流破碎，仍然无法直接用于高密度靶材的制备，且气流破碎产能低，不利于大规模废靶处理。因此，有必要提供一种新的方案，解决ito靶材直接破碎时间过长和相对密度有待进一步提高的问题。技术实现要素：4.针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种it
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“ITO废靶重制ITO粉、高密度靶材及其制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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编辑：中冶有色网
来源：先导薄膜材料（广东）有限公司
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2025年06月13日 ~ 15日 
