一种alcu合金靶材制备方法
技术领域
1.本发明涉及真空镀膜领域，更具体地说，它涉及一种alcu合金靶材制备方法。
背景技术：
2.在高纯铝中加入微量的铜元素，制备的alcu合金具有优异的导电性广泛应用于显示和半导体行业，常规alsi合金靶材因其导电性一般而逐步被alcu合金靶材替代。常规alcu合金靶材一般都通过熔炼浇铸后通过加工获得，其表面缺陷较多，经常会有气孔存在。
3.因此需要提出一种新的方案来解决这个问题。
技术实现要素：
4.针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种alcu合金靶材制备方法，通过粉末冶金的方法获得原料后加工制备的靶材可以获得均匀的化学成分及表面质量。
5.本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的：一种alcu合金靶材制备方法，包括以下步骤：
6.s1：选用5n纳米al粉末和纳米cu粉末作为原料，按照原子质量份数，将99％～99.9％的al粉末、0.1％～1％的cu粉体倒入真空气雾化设备中，温度1000～1200℃，压力3～5mpa，制备alcu合金粉末；
7.s2：将所述合金粉末进行压制成型，得到alcu合金圆棒形毛坯；
8.s3：将所述合金圆棒形毛坯进行挤压成型，挤压后快速冷却产品，得到alcu合金毛坯管靶材或者平面圆靶材；
9.s4：将上述靶材进行退火；
10.s5：将上述合金毛坯管靶材与6系铝合金加工后焊接并加工得到alcu旋转靶材；将上述合金毛坯平面圆靶材加工后与cu背板涂铟绑定并加工得到alcu平面靶材。
11.本发明进一步设置为：在s1步骤中，al粉和cu粉的规格均选用d50为60～100um。
12.本发明进一步设置为：在s2步骤中，压制成型的设备为四柱液压机，压力为400～600mpa，保压时间5～10min。
13.本发明进一步设置为：在步骤s3中，挤压成型设备为5kt挤压机，挤压温度为300～400℃，毛坯的加热温度为300～400℃。
14.本发明进一步设置为：在s3步骤中，平面圆靶材通过正向挤压或反向挤压完成。
15.本发明进一步设置为：在s3步骤中，管靶材通过反向挤压完成。
16.本发明进一步设置为：在s4步骤中，退火温度为250～400℃，保温时间为1～3h，退火冷却方式为随炉冷却。
17.本发明进一步设置为：在s5步骤中，绑定的步骤包括准备合金毛坯平面
声明：
“AlCu合金靶材制备方法与流程” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1002
编辑：中冶有色网
来源：基迈克材料科技（苏州）有限公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年06月06日 ~ 08日 
