碳化硅膜的共形沉积
本技术是申请号为201610084166.5，申请日为2016年2月6日，申请人为诺发系统公司，发明创造名称为“碳化硅膜的共形沉积”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
1.本发明一般涉及碳化硅膜的形成，尤其涉及碳化硅膜的共形沉积。
背景技术：
2.碳化硅(sic)类薄膜具有独特的物理、化学和机械性能，并被用于各种应用，特别是集成电路应用中。碳化硅薄膜的种类包括经氧掺杂的碳化硅(也称为碳氧化硅(sioc))、经氮掺杂的碳化硅(也称为碳氮化硅(sinc))、经氧和氮掺杂的碳化硅(也称为氧氮化硅(sionc))、以及无掺杂的碳化硅。
技术实现要素：
3.本发明提供了用于制备碳化硅的方法和系统。基本上共形的碳化硅层可使用采用具有一个或多个硅
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氢键和/或硅
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硅键的含硅前体的工艺来提供。含硅前体还可具有一个或多个硅
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氧键、硅
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氮键、和/或硅
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碳键。可通过破坏一个或多个硅
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氢键(例如从前体剥离氢原子)或者破坏一个或多个硅
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硅键(如果存在于前体中的话)，同时维持前体中的硅
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氧键、硅
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氮键、和/或硅
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碳键中的一者或多者，而将前体制成活性的。所得的膜可包含一个或多个硅
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氧键和/或硅
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碳键。前体可通过将其转化为其中提取了氢原子或其他原子的自由基或其它活性物质而被转换成活性的但基本上完整的形式。氢原子或其它原子可通过例如将前体暴露于自由基物质来进行提取。在某些实施方案中，处于基本上低能量状态的一种或多种自由基物质可与一种或多种含硅前体反应以形成碳化硅。所述一种或多种自由基物质可以在远程等离子源中形成。碳化硅可以在各种应用中被使用，包括但不限于用作衬里、间隔片、蚀刻停止、铜扩散阻挡层、孔密封剂和超低k的电介质层。
4.本发明的某些方面涉及一种在衬底上沉积碳化硅膜的方法，该方法的特征在于，包括以下操作：(a)提供所述衬底到反应室；(b)提供含硅前体到所述衬底，其中所述含硅前体具有(i)一个或多个硅
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氢键和/或硅
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硅键，(ii)不具有碳
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氧键；以及(iii)不具有碳
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氮键；以及(c)从源气体引入处于基本上低能量状态的一种或多种自由基物质以与所述含硅前体反应，以在破坏所述含硅前体的硅
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氢键或硅
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硅键但基本维持所述含硅前
声明：
“碳化硅膜的共形沉积的制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：诺发系统公司
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2025年06月13日 ~ 15日 
