本实用新型公开了一种能够避免尾排管爆炸的用于制备硅片表面
氧化铝膜的装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室,真空沉积室内设有石墨舟,真空沉积室上设有进气口与排气口,进气口上连接有用于通入制程气体的导气管,排气口上连接有
真空泵,真空泵的出口连接有尾排管,通过尾排管上设置尾气处理装置,真空沉积室内反应完毕的废气在真空泵的作用下,尾气先经过气爆室与空气发生反应,再经过水爆室内与水发生反应,尾气再进入甲烷燃烧时将生成的甲烷燃烧殆尽后再进入尾排管,进入尾排管的尾气由于不含有三甲基铝也就不会发生爆炸,避免了尾排管经常发生爆炸的危险情况发生,其安全性大大提高。适合在
太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。
声明:
“用于制备硅片表面氧化铝膜的装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)