本发明实施例公开了一种晶体硅清洗方法,该方法包括:将晶体硅置于纯水中进行超声或兆声加热预清洗;将晶体硅置于混合酸溶液中进行腐蚀;采用纯水对所述晶体硅进行冲洗;将所述晶体硅烘干。本发明所提供的晶体硅清洗方法,采用物理清洗和化学清洗相结合的方式对晶体硅进行清洗,能有效地去除晶体硅(尤其是回收料)表面的杂质和颗粒,而且可减少化学药液的用量,减小化学药液对人、设备及环境的危害,减轻化学药液对晶体硅的腐蚀损耗,减轻后续对废液的处理工作,从而可降低清洗成本。
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