合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 固/危废处置技术

> 室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法

室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法

731   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 05:38:01
本发明涉及功能薄膜材料制备技术,其采用改进了的离子束增强沉积方法成膜,结合后续的结晶、退火,实现杂质的均匀掺入和对钒的有效替位,使薄膜的相变起始温度降低到12-16℃附近。调节氩/氢比等成膜工艺和结晶热处理条件,使多晶VO2薄膜从半导体相向金属相转变时,其电阻率的变化超过2个数量级。选择掺杂或引入应力等制备方法、掺杂剂量、杂质种类等制备条件,使薄膜相变向低温适当延展,相变滞豫足够小,实现室温附近的TCR大大提高,达10%/K以上,可满足红外探测和红外成像的使用要求。获得的沉积薄膜与衬底界面结合牢固,结构致密,与CMOS工艺兼容。本发明原料低廉,具有成本优势,且在成膜过程中没有废液、废气等危害环境的物质排放。
声明:
“室温电阻温度系数高于10%K的多晶二氧化钒薄膜制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
危废
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记