本发明是一种Si‑SiC导电衬底材料及其制备方法。该材料是一种由
光伏硅切割废料制备的Si‑SiC导电衬底材料,按重量计其组成为:酸洗后的光伏硅切割固体废料65~99.5%、碳化硅0~30%、改性铝粉0.5%~5%。该材料的制备方法是:将酸洗后的废料,碳化硅粉料以及经
硅烷偶联剂包裹改性的铝粉进行混料,均匀后,将混合料、水、分散剂、粘结剂、增塑剂等进行球磨混合成浆料,流延成型成薄片,干燥后在氩气保护下烧结,最终得到复合Si‑SiC太阳能导电衬底陶瓷薄片。本发明实现了废料的资源化利用,同时降低了太阳能衬底材料的生产成本,为光伏硅切割废料合成一种具有高附加值产品的有效方法。
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