一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法,包括以下步骤:把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中,密封反应釜,将反应釜加压升温至预定的过渡条件;Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液,C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面,同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解,使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下;对反应釜继续加压升温,加压升温至预定的生长条件(700~1000℃,1~50MPa),籽晶处开始GaN单晶生长;GaN单晶达到目标厚度后,对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合,阻止GaN多晶的形成,提高了GaN单晶的生长速率。
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