本发明公开了一种半导体废硅泥的二氧化硅再生方法,其方法如下:将废硅泥进行第一次干燥,干燥条件为150~300℃,干燥时间为1~3小时,得硅泥固体;将所得的硅泥固体置入第一搅拌装置内,并加入第一浸渍溶液进行第一次搅拌;将所得之物进行第一次过滤及清洗;将所得之物进行第二次干燥;将所得之物置入第二搅拌装置中进行纯化,并加入第二浸渍溶液进行第二次搅拌;将所得之物进行第二次过滤及清洗;将所得之物进行第三次干燥;将所得之物进行研磨,使颗粒通过100mesh筛网,剩余颗粒大于100mesh的固体则继续研磨,即可得到粒度均匀且二氧化硅含量大于90%的粉体。
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