本发明公开一种含贵金属固体废物的无氰回收方法,所述固体废物为含有夹层铝和贵金属的半导体器件,本方法包括回收其中的贵金属,包括以下步骤:将半导体器件浸入含有碱溶液的超声波浸泡槽中,开启超声波,使含贵金属的镀金层从半导体器件上剥离,形成含有贵金属的贵金属渣。由于含有夹层铝和贵金属的半导体器件,如半导体LED
芯片的夹层铝位于镀金层的下层,只将器件浸入碱液的溶解方式难以使得碱液充分与夹层铝接触并反应。因此本发明通过超声波强化溶解的方式,借助超声波的声空化效应,形成局部的瞬间高温和高压溶解条件,促进夹层铝的溶解。
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