本发明公开了一种氧化铈抛光粉。氧化铈的纯度CeO2/TREO≥99.95%;氧化铈为晶型为单相立方晶系的CeO2粉末;氧化铈的形貌为圆饼状,平均粒径为1μm。还公开了其制备方法,包括氯化铈水溶液的制备、沉淀、脱水、焙烧、粉碎等。与现有制备方法相比,本发明制备的抛光粉为氧化铈抛光粉,在制备过程中无需引入F,具有工艺简单,成本低,无废水的优点;氧化铈抛光粉对制品的抛光过程中无划伤、抛光精度高等优点。
声明:
“氧化铈抛光粉及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)