本发明涉及一种锡掺杂硫化铟的花状
纳米材料的制备及其在光催化还原中的应用。该方法包括如下步骤:以无水乙醇为溶剂,依次加入四水合三氯化铟、五水合四氯化锡和硫代乙酰胺,搅拌均匀后置于聚四氟乙烯高压反应釜中,120~180℃反应8~20个小时,自然冷却至室温。产物经处理后即得所述Sn‑In
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3的光催化材料。该光催化材料有较大的比表面积和适宜的孔隙结构,使得表面活性位点增加,锡掺杂后可增强可见光的吸收能力,有效抑制光生电子和空穴的复合,表现出更优异的光催化性能。本发明Sn‑In
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3光催化材料可还原含铀废水,在40min能还原95%以上的目标污染物,显示了优异的光催化活性。
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“锡掺杂硫化铟的花状纳米材料的制备及其在光催化还原中的应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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