本发明提供了一种干法清洗
多晶硅还原炉的方法,将多晶硅还原炉与等离子体发生器相连,使等离子体发生器产生的等离子体在设定的温度和压强条件下与多晶硅还原炉钟罩内壁沉积的硅薄膜反应,同时实时监测反应产物的成分变化,并通过吹扫抽离反应产生的气体产物,达到清洗多晶硅还原炉的目的。本发明提供的方法克服了现有技术的不足,大大简化了清洗工艺流程,实现全自动化操作,大幅降低了多晶硅还原工艺整体设备投入和建设周期与成本,同时能够完全避免废酸、废碱、废水和废气等的排放,起到节能和环保的作用。
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