本发明公开了一种复合光催化剂MoS
2/g‑C
3N
4I及其制备方法和应用,所述复合光催化剂以含氮有机物和含碘化合物为前驱体,采用水浴‑焙烧的方法合成了g‑C
3N
4I,然后将此
半导体材料与层状二硫化钼(MoS
2)通过超声复合制得复合光催化剂MoS
2/g‑C
3N
4I,所述制备方法简单,条件易控,制得的复合光催化剂具有较高的光催化活性和抗光腐蚀能力,且能广泛用于染料废水的治理。
声明:
“复合光催化剂MoS2/g‑C3N4I及其制备和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)