本发明涉及一种电阻可控的碳化硅陶瓷及其制备方法,属导电陶瓷材料领域。电阻可控碳化硅陶瓷原料包括:SiC粉、B
4C粉、钛源、碳源、TiB
2粉,质量比为(40‑80):(8‑30):(20‑70):(15‑60):(25‑55);本发明还提供了其制备方法,包括配料、过筛造粒、模压成型、干燥、烧结;本发明在SiC原料中直接或间接引入TiB
2高导电陶瓷成分,使制得的SiC复合陶瓷材料具有电阻可控、抗氧化、硬度高、耐磨损、高热传导率、低热膨胀系数、抗蠕变等性能,在电子信息穿戴产品、工业废水电催化氧化处理、燃料电池电极、高铁受电弓等领域具有非常大的实用前景。本发明具有工艺简单、设备要求度低、生产成本低、便于批量化生产的优点。
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