本发明公开一种波浪MoS2纳米片镶嵌蒲公英TiO2纳米球复合异质结
半导体材料,所述材料包括MoS2纳米片和TiO2蒲公英纳米球;其中,所述MoS2纳米片均匀贯穿在所述TiO2蒲公英纳米球上的纳米棒中间,并与所述纳米棒之间的间隙稳定结合。本发明还公开了通过两步溶剂热法制备得到波浪MoS2纳米片镶嵌蒲公英TiO2纳米球复合异质结半导体材料的方法。本发明具有制备操作简单、产量高、成本低等优点。本发明材料在光催化工业废水和场发射领域有极大发展潜力及应用前景。
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“波浪MoS2纳米片镶嵌蒲公英TiO2纳米球复合异质结半导体材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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