本发明公开了一种半导体异质结光催化材料及其制备方法和应用。本发明提供的K
6NiW
5Mo
4O
31/WO
3半导体异质结,以K
6NiW
5Mo
4O
31为前驱体基底材料,K
6NiW
5Mo
4O
31与WO
3的摩尔比为100:(5~50)。本发明提供的半导体异质结光催化材料可采用高温固相法或化学溶液法合成,制备方法简单易行,材料的化学稳定性好,能有效吸收紫外‑可见光,并能在可见光下实现高效光催化活性。与单相前驱体基底材料K
6NiW
5Mo
4O
31相比,异质结复合而成的催化剂能更好地吸收可见光,有效地实现电子‑空穴的分离,提高催化效率,可用于对有机污染物的光催化降解,尤其是对有机染料工业废水的可见光催化降解处理。
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