本发明公开了一种硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜的制备方法,包括以下步骤:(1)采用热丝化学气相沉积方法,在单晶硅衬底上制备厚度为300-600nm的单颗粒层纳米金刚石薄膜;(2)采用离子注入方法,在步骤(1)中得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜中注入硼离子,得到硼离子注入的薄膜;(3)将步骤(2)中得到的硼离子注入的薄膜真空退火,即制得所述硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜。本发明制备的硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜,具有优异的
电化学性能,特别具有较好的电化学催化性能,可用于有机废水的电化学催化氧化处理中。
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