本发明是半导体行业低浓度含铜废水达标排放及高效沉降工艺,包括以下工艺步骤:1)低浓度含铜废水投加FeSO
4溶液;2)斜板沉淀池底部管道混合器进口处投加氢氧化钙溶液,废水与斜板沉淀池回流的含钙改质污泥发生反应;3)加入重捕剂进行鳌合反应;4)投加聚丙烯酰胺进行絮凝反应;5)污泥进入斜板沉淀池进行泥水分离,一部分污泥通过输送至污泥储槽,另一部分输送至管道混合器,进行步骤2)。本发明的优点:针对废水特性,采用FeSO
4+重捕剂联合,减少用量,工艺简单,投资成本低廉,免去混凝剂投加,回流污泥添加氢氧化钙,含水率低、密度高,加快污泥沉降,提高斜板沉淀池表面负荷,减少占地面积,不需设置污泥浓缩池。
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