一种碳包覆氧化亚硅
负极材料,包括氧化亚硅颗粒和包覆在氧化亚硅颗粒表面的碳层,碳包覆氧化亚硅负极材料的碳含量为3wt%‑6wt%,比表面积为1.5‑2.5m2/g。其制备方法为:先通过低温CVD气相法在氧化亚硅表面沉积碳,然后进行高温歧化,得到碳包覆氧化亚硅负极材料。本发明在制备碳包覆氧化亚硅负极材料的过程中,通过先低温包覆再高温歧化,氧化亚硅基体与碳层之间空隙可有效缓冲材料体积膨胀,从而有效改善材料充放电时体积膨胀问题。相对于先高温歧化再进行沉积包覆,本发明的材料中硅化合价由0价转变为+4价时,在材料质量不变的情况下,密度会发生变化,相应体积也会收缩,形成微孔,从而改善电池的体积膨胀问题。
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