DE500CL 双电子枪共蒸发镀膜系统配置两个电子束蒸发源,可在基片共蒸发沉积金属、半导体或介质材料,是制备lift-off工艺薄膜和低微材料的理想平台。
	
	特点
	
	可选等离子体基片清洗
	
	可选基片氧化
	
	主要配置
	
	蒸发腔体:不锈钢腔体
	
	
	真空阀门:高真空阀门
	
	真空测量:宽量程真空计
	
	蒸发源:两个电子束蒸发源
	
	样品台:
	
	自转基片台
	
	可选可倾角和自转基片台
	
	(可选加热至600℃)
	
	(可选冷却至-150℃)
	
	膜厚检测:晶振速率膜厚监控
	
	预真空样品室:单基片或多基片装载能力、全自动送样
	
	主要技术指标
	
	极限真空度:3E-8Torr
	
	基片尺寸:可选:2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
	
	膜厚均匀性:优于+/-3%
	
	蒸发速率分辨率:0.01 A/s
	
	膜厚分辨率:0.1A