本发明公开了一种栅极衬底控制电路、
锂电池及其保护
芯片的保护装置,栅极衬底控制电路包括多个电平转换电路、多个输入端、第二MOS管、第三MOS管、第二电阻和第四MOS管,第二MOS管的源极和衬底连接VDD端,第二MOS管的漏极与第三MOS管的源极和衬底连接,第二电阻的一端连接第三MOS管的漏极且另一端连接第四MOS管的漏极,第二MOS管的栅极与第四MOS管的栅极连接后连接其中一个电平转换电路的VGATE1N端。本发明通过两个P沟道MOS管串联,来减少每个P沟道MOS管的电压值,从而提高栅极衬底控制电路的抗尖峰电压和耐直流电压的能力,进而提高锂电池保护芯片及其保护装置的耐压能力。
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“栅极衬底控制电路、锂电池及其保护芯片的保护装置” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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