本发明属于铌酸锂单晶的生长方法。采用电阻炉 提拉法生长铌酸锂单晶,在电阻炉炉膛的上部空间 装置一耐火材料锥面热辐射罩,使液面上部的温度 梯度降低到 ,晶体所在的空 间温度保持在居里点之上,并用铂铑籽晶杆代替铂 籽晶杆。拉制的单晶直径在Φ120-200m/m,重量在 5-10kg,大大提高了晶体生长效率,节省了人力和 能源。
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