一种掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置,属于晶体 材料后处理技术领域。本发明包括,1230±5℃极化 温度条件,对晶体端面、陶瓷板、Pt片电极进行整平 处理,并在一可移动加热炉与带有样品支架的基座扣 合而成的极化装置中进行极化。所用陶瓷板是按 Li2CO3∶Nb2O5∶Ta2O5=95∶(85±5)∶15±5摩尔 比配料并烧结的掺杂LN陶瓷板。用本发明的方法 和装置进行极化处理的掺杂LN晶体能实现完全单 畴化,光学均匀性高达10-6~10-5cm-1。本发明的方 法和装置设计合理,简便易行。
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