本发明属于薄膜制备技术领域,具体涉及一种基于磁控溅射的在铌酸锂基片上的钛酸锶钡成膜方法。包括如下步骤:将待溅射铌酸锂基片移入真空室室内并放置于样品座上;将真空室内的靶材的角度调整到预设角度,调节靶材到基板的距离到预设距离;对真空室进行抽真空,到达本底真空;通入氧气和氩气,在基片上溅射二氧化硅;在氩气环境下,打开直流电源在基片上溅射金属钛;在氩气环境下,打开直流电源在基片上溅射金属铂;将基片加热至400摄氏度后,在氧气和氩气条件下,打开射频电源在基片上溅射钛酸锶钡;完成步骤70后,加热基片至650摄氏度,在氧气环境下退火。本发明不仅简化了步骤并且节约了成本;且钛酸锶钡薄膜结晶效果良好。
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