本发明提供一种用于提纯含有至少一种污染物的低纯度冶金级硅并且得到较高纯度固体
多晶硅的方法。所述方法包括:将低纯度冶金级硅的熔体容纳在模具中,所述模具具有绝热的底壁和侧壁,和敞口顶部;在电磁搅拌熔体的同时,通过从敞口顶部向底壁的单向凝固使熔体凝固;控制单向凝固的速率;在熔体已经部分凝固时,停止单向凝固,以产生具有外壳和中心的锭料,所述外壳包括较高纯度固体多晶硅,所述中心包括富集杂质的液体硅;和在锭料的外壳中产生开口以使富集杂质的液体硅流出,并且留下具有较高纯度固体多晶硅的外壳。
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“用于从冶金级硅制备中等和高纯度硅的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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