权利要求
1.一种单晶硅的磨削方法，其特征在于：包括，
将硅棒切割分为多个硅片样本;
硅片样本的磨削区域为圆形，切割的厚度以制造行业的标准来定，若在集成电路制造中，硅片的厚度在75100微米之间;
若在光伏行业的制造中，硅片的厚度在150微米到200微米(0.15毫米到0.2毫米)之间;
设定硅片样本的磨削阶段，分为磨削准备阶段、磨削加工阶段与磨削后处理阶段;
获取n个硅片样本，进行编号，生成硅片样本集合E，表示为E={，，...，}，其中表示为第i个硅片样本，n为硅片样本个数;
将硅片样本的切割面标记为磨削面，磨削面表面为圆形;
设定投射时间间隔，记为Q;
设置投射光源对磨削面进行投射的角度范围区间，为[0°，180°];
在磨削面上设置两条相互垂直的基准线，分别记为基准线P与基准线I;
基准线的交点设置在磨削面的圆心处;
将基准线P标记为纵向线，基准线I标记为横向线;
在磨削面上，作垂直于纵向线的半圆形截面，标记为截面Z，作垂直于横向线的半圆截面，标记为截面X;
通过投射光源沿着半圆形截面进行投射，投射方式分为第一投射方式与第二投射方式;
所述第一投射方式为，投射光源沿着截面Z上的边缘对磨削面进行投射;
所述第二投射方式为，投射光源沿着截面X上的边缘对磨削面进行投射;
根据两种投射方式，通过投射光源对磨削面进行投射，获取第一投射方式与第二投射方式生成的光照分析图集合，分别记为光照分析图集合U与光照分析图集合Y;
所述光照分析图为，投射光源在某一角度向磨削面进行投射形成的光照区域，该光照区域用于获取磨削面的凸起区域以及凹陷区域;
凹陷区域由于低于周围表面，投射光源进行照射时，凹陷的底部无法被直接照亮，导致阴影区域加深，凹陷区域的边缘较陡，投射光源会在边缘处聚焦，使得凹陷边缘出现明亮的高光区域。
2.根据光照分析图集合U与集合Y，获取磨削面上的凸起区域与凹陷区域;
在磨削加工阶段开始时，针对凸起区域与凹陷区域，执行磨削策略。
3.根据权利要求1所述的单晶硅的磨削
声明：
“单晶硅的磨削方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：江苏矽腾半导体材料有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
