压电陶瓷是一类重要的功能材料,可将电能与机械能相互转换[1,2] 锆钛酸铅(PZT)基压电陶瓷具有优异的压电性能,但是其中的铅危害环境和人体健康[3]
铌酸钾钠(KNN)基无铅压电陶瓷具有良好的压电性能且环境友好,受到了极大的关注
但是,纯相铌酸钾钠陶瓷的居里温度Tc = 415℃,压电性能参数为d33 = 125 pC/N,kp = 0.40[4],表明其性能远不如PZT陶瓷
2004年日本Y.Satio用反应模板定向生长法(TGG)制备的正交-四方(O-T)两相共存的锂钽锑共掺杂KNN基织构陶瓷,其压电常数d33为416 pC/N,机电耦合系数kp达到0.61[5],可与商业PZT媲美
翟继卫等用TGG法制备了组分为0.96(K, Na)(Nb, Sb)O3-0.01CaZrO3-0.03(Bi, K)HfO3的织构陶瓷,其压电常数达到了惊人的700 pC/N[6]
可用Li+部分代替A位的Na+/K+,或者用Sb5+代替B位的Nb5+以使O-T相变移动至室温,得到极高的d33[7,8]
将(Bi, Na)ZrO3或(Bi, Na)HfO3等ABO3型氧化物掺入(K, Na)NbO3或(K, Na)(Nb, Sb)O3中,可使其O-T相变点下移或R-O相变点上移[9~15],进而压缩O相温度区间使其在室温发生R-T相变[15~18],提高陶瓷的d33[16~24]
多相共存的KNN基陶瓷内的相界不同于PZT陶瓷中的准同型相界(MPB),称为多晶型相界(PPB)[8,25~27]
在两相共存处畴壁能量势垒较低,陶瓷易于极化,因此具有较高的压电性能
MPB是一种组分不随温度改变的相界,因此在不同的温度下PZT陶瓷的两相含量不变,使其保持优异的压电性能
但是,目前报道的PPB其组分受温度的影响较大,两相共存相的比例随温度的变化使其压电性能不稳定[28]
同时,KNN基陶瓷的压电性能对成分的变化较为敏感且其烧结温度窗口较窄
因此,提高工艺稳定性,能重复制备高性能的KNN陶瓷,是实现其实用化的关键
传统固相法,是制备无铅压电陶瓷的主要方法
烧结方式,对陶瓷体晶粒生长、致密度以及压电性能有重要的影响
两步烧结法,可大幅度提高陶瓷致密度和降低陶瓷中低熔点物质挥发[29~31]
这种烧结方式简便易操作,得到的样品致密度高
基于此,本文用传统固相法制备(1-x)K0.48
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