有色金属失效分析技术理论与应用

基于交流阻抗法的锂离子电池失效分析方法 976     

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锂离子电池的安全性能备受关注，在滥用条件下锂离子电池负极上极易发生析锂，形成锂枝晶，造成电池热失控甚至爆炸。本发明采用了电化学交流阻抗测试的方法，分析了交流阻抗谱信号与电池内部环境的关系，能够从交流阻抗谱上分析SEI膜电阻变化，从而实现了在不损坏电池的情况下，快速准确预测电池的枝晶内短路状态，进而评估电池的寿命及安全性。

基于变点小波法的硬盘失效分析方法 684     

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本发明公开了一种用于提取硬盘运行状况的变点小波方法，首先时序化硬盘运行状况并剔除常量，生成硬盘SMART时序特征；其次用线性内插法填充时序特征的空缺值；其二用归一化方式等值化时序特征；其三分解出硬盘SMART时序特征的小波；其四并以可视化方式呈现小波形态的不同频率；最后用卷积网络与长短记忆网络验证变点小波具有表征硬盘失效的有效性。该方法不仅能处理含缺失值的硬盘运行状况日志还能提取出具有指示硬盘失效的变点小波特征。从而实现从硬盘运行状况日志中提取小波，用小波预测硬盘的健康状况，获得了提高预测准确率和精准率的技术效果。

芯片失效分析方法和装置 610     

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本发明涉及一种芯片失效定位方法和装置，通过机台连接板将光发射显微镜与加温台盘连接起来，使机台连接板位于光发射显微镜的底座与加温台盘的底座之间。同时，在机台连接板与加温台盘之间设置隔热垫圈；将加温台盘装载于所述光发射显微镜的样品台所处的位置上；将待测试芯片置于加温台盘的台面上，设定加温台盘的温度范围，使待测试芯片处于测试温度下，其中，所述温度范围为140℃‑160℃；待测试芯片上的亮点为待测试芯片的失效位置。因此，能够结合加温台盘使待测试芯片处于测试温度下，再通过光发射显微镜来定位出待测试芯片的失效位置。

光模块的失效分析拆卸装置 886     

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本发明公开了一种光模块的失效分析拆卸装置，包括用于放置光模块的工作台、设置于工作台的底端的升降组件、设置于工作台的上方的下压组件、分设于工作台两侧的拆盖组件、以及分别对应驱动两组拆盖组件靠近或远离工作台的直线往复机构，拆盖组件的自由端呈尖角结构设置，下压组件的驱动端设置有至少一组与之可拆卸连接的下压件。通过上述方式，本发明由直线往复机构驱动拆盖组件运动，从而实现光模块的半自动拆卸，提高了拆卸效率，且通过调节工作台的高度及刀具的行程能够减少拆盖时对光模块内部器件的损伤。

微小芯片的失效分析中的样品制备方法 634     

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本发明公开了一种微小芯片的失效分析中的样品制备方法，在微小芯片的样品的外围利用模具外壳填充有机介质，然后对有机介质进行加热固化使其与所述微小芯片样品形成一块整体的结构，然后再对所述的包含有微小芯片样品的整体进行研磨。通过固化的有机介质，增大了微小芯片的延展面积，在研磨时能形成更大的研磨面积，从而进一步控制微小芯片外围磨耗，使制样更加均匀。

晶圆失效分析中的样品处理方法 1064     

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本发明公开了一种晶圆失效分析中的样品处理方法，先对晶圆进行研磨，去除晶圆表面的介质层及金属互连层，仅保留前段工艺层，然后通过氢氟酸溶液进行浸泡剥层。在氢氟酸溶液浸泡过程中，硅衬底与金属铜会发生电化学反应，硅衬底作为电池的负极会出现腐蚀现象；通过研磨去除硅衬底上的铜金属互连线，避免了电化学反应的发生，减少了硅衬底的腐蚀。

基于Copula函数失效相关系统动态模糊可靠性分析方法 1025     

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本发明公开了一种基于Copula函数失效相关系统动态模糊可靠性分析方法，包括：1)计算单个零件的动态模糊可靠度，然后把其值代入基于Copula函数串联或并联系统动态模糊可靠度计算公式中；2)估算Copula函数参数，本方法通过先计算零件之间的kendall秩相关系数，再通过kendall秩相关系数和Copula函数参数的关系来计算各Copula函数的参数值；3)通过求解出来的Copula函数的参数值和单个零件的动态模糊可靠度值便可以得到系统的动态模糊可靠度值。

晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法 685     

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本申请实施例公开了一种晶片的获取方法及半导体器件的失效分析方法，其中，所述晶片的获取方法包括：在半导体器件中的至少两个堆叠的封装晶片中，确定出目标晶片；采用第一去除工艺，对位于所述目标晶片第一侧的封装晶片进行去除处理，并保留与所述目标晶片第一侧相邻的封装晶片的部分结构作为牺牲层，以覆盖所述目标晶片的第一侧；采用刻蚀工艺去除所述牺牲层；采用第二去除工艺，对位于所述目标晶片第二侧的结构进行去除处理，直至暴露出所述目标晶片第二侧的表面为止，以获取到处理后的目标晶片，其中，所述第一侧和所述第二侧为所述目标晶片沿堆叠方向的两侧。

钢丝绳失效现场分析试验方法 760     

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本发明涉及一种钢丝绳失效现场分析试验方法，距体包括以下步骤：S1.选取待试验所需的钢丝绳线材；S2.分组标号；S3.分组试验；S4.对比试验；S5.观察试验并记录试验数据。本发明通过设置多组钢丝绳进行试验，同时控制单一变量进行相互的对比和参照，进而在对钢丝生产完成后进行模拟实际情景下使用所处的环境，进而增加试验的真实性，每组中两条为同一试验环境，另外两条为另一试验环境，进行同组参照，增加试验的对比性，通过设置多组钢丝绳，且每组设置四组，避免试验的单一偶然性，进而提高试验的准确性和可信性。

覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法 680     

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本发明提供一种覆晶芯片取裸片的制备方法及失效分析方法，其中，本发明覆晶芯片取裸片的制备方法包括：提供覆晶芯片，覆晶芯片包括裸片及封装于裸片的外部的封装结构，裸片的正面具有锡球；研磨封装结构，直至裸露出裸片正面的锡球；采用淋酸蚀刻的方式蚀刻裸片的正面，去除裸片正面的锡球、残留的封装结构，达到裸片正面完全开封以得到裸片样品。本发明覆晶芯片取裸片的制备方法不需要用酸煮沸去除封装结构，而是研磨掉封装结构的一部分，再使用淋酸蚀刻的方式去除锡球和裸片正面的封装结构，从而获得裸片，不会造成崩边或裂痕，使用此裸片进行其他实验时，可排除人为因素对裸片的影响，提高了实验准确性，具有优异的技术效果。

芯片失效分析样品的制备方法 897     

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本发明提供一种芯片失效分析样品的制备方法，包括步骤：1）提供一芯片，所述芯片具有一正面及一背面，且所述芯片包裹有封装膜塑；2）于所述芯片中定义目标层，对所述芯片的正面一侧进行研磨，去除所述正面一侧的封装塑膜及部分的芯片，直至研磨面与所述目标层表面之间具有一预设间距；3）于所述研磨面表面形成保护层；4）去除剩余的封装膜塑；5）采用抛光工艺去除所述保护层，并继续抛光直至露出所述目标层。由于封装膜塑与芯片有匹配的膨胀系数，研磨过程中芯片不会弯曲，而且，封装膜塑能很大程度的加大样品的尺寸，增加研磨时的方位可控性；后续过程中采用气相沉积法形成保护层后去除封装塑膜，然后进行抛光便可获得平坦的目标层。

用于失效分析的样品的处理装置 893     

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本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置，包括梯形工作台，防滑橡胶垫，带孔IC座，塑料支架，弯折观察架结构，吸尘补光架结构，电动马达，侧面支撑架，燕尾型限位滑槽，燕尾型移动滑块，锁紧螺栓，升降减速架结构，燕尾型升降板，齿槽移动板和打磨马达，所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部；所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部；所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置，有利于对的芯片表面的观察位置进行放大，保证工作人员可以清晰地看到打磨效果，提高该装置的打磨精度。

用于Nanoprobe-FIB-TEM失效分析的多用途样品座及其应用 978     

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本发明涉及一种用于Nanoprobe‑FIB‑TEM失效分析的多用途样品座，包括：半月形样品台为具有窗口的半圆形硅片，TEM薄片样品固定在该窗口上；基座包括本体、用于安装Nanoprobe样品的第一支柱和用于安装半月形样品台的第二支柱，第一支柱和第二支柱固定连接在本体上，本体具有第一基座贯通孔和第二基座贯通孔；卡座具有第一卡座贯通孔和第二卡座贯通孔；第一卡座贯通孔与第一基座贯通孔或第二基座贯通孔适配，第二卡座贯通孔与FIB样品卡座台适配。本发明还提供上述的多用途样品座的应用。根据本发明的多用途样品座，适用于Nanoprobe、FIB、TEM多仪器，免去了在不同仪器里频繁更换样品台的步骤。

半导体器件主动区失效分析样品的制备方法 651     

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本发明提供了一种半导体器件主动区失效分析样品的制备方法，以氢氟酸与乙酸的混合溶液替代现有技术中单纯使用氢氟酸去除氧化层，相对于单纯使用氢氟酸的强腐蚀性，由于在混合溶液中的乙酸同时也电离出氢离子，可抑制氢氟酸的电离，避免腐蚀过程中过多的氟离子参与反应，因此，可使得腐蚀过程中减小损伤或不损伤半导体器件的主动区；使用超声波振荡半导体器件可使低于主动区表面的多晶硅层突出，便于后续使用多晶硅胶去除多晶硅层，避免了在去除多晶硅层的过程中对半导体器件主动区的损伤。

关于分析半导体器件失效的剥层处理方法 739     

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一种分析半导体器件多晶硅接点断开失效和接点偏离的剥层处理方法,它包括下列步骤:除掉包含存储单元的晶片上的钝化层和双金属层;利用等离子干腐蚀方法,选择地除掉形成电容器的多晶硅和形成位线的多晶硅的上层部分;利用含HF的腐蚀剂进行湿腐蚀,以便露出场氧化层,同时留下位于晶片上的形成位线的多晶硅和形成电容器存储节点的多晶硅的下部。

基于模糊网络分析法的海底管道失效风险综合评价方法 832     

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本发明公开了一种基于模糊网络分析法的海底管道失效风险综合评价方法，包括以下步骤，S1：确定用于对管道在损害下进行风险评估的多个一级指标、及每个所述一级评估指标对应的多个二级指标；S2：基于一级指标的权重和二级指标的权重构建模糊判断矩阵，并计算加权超矩阵；S3：基于加权超矩阵计算极限超矩阵，确定各元素局部权重向量；S4：计算各元素全局权重，对风险因素进行排序；S5：根据最大隶属度原则，获得隶属度最大的风险元素对应的评价等级，本发明考虑了元素间以及层次间的相互影响，用三角模糊数代替具体的数字标度来表征两个元素的相对重要度，再结合模糊综合评价技术，可以构建完整的海底管道风险评价体系。

风电机组扭力臂位移检测装置及弹性支撑失效评估方法 945     

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本发明公开了一种风电机组齿轮箱扭力臂位移检测装置，包括设置在扭力臂上的位移传感器和与其连接的信息采集装置，信息采集装置与风电机组主控系统连接。还公开了风电机组弹性支撑失效评估方法，先计算风电机组齿轮箱转矩T，并由转矩T计算弹性支撑承受的力F；再应用扭力臂位移检测装置检测的扭力臂位移值S，根据K＝F/(S‑S₀)，计算弹性支撑的刚度值K；将该弹性支撑刚度值K与预定失效刚度值相比，若低于该预定失效刚度值，则判定该弹性支撑失效。还公开了风电机组齿轮箱监测方法。本发明通过安装在扭力臂上的位移传感器和机组运行过程的监测数据，计算得出弹性支撑的时时刚度值，能达到监控弹性支撑是否失效的目的，保障齿轮箱的良好运行。

电梯轿厢有无困人图像监控失效辅助分析方法及其系统 629     

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本申请涉及一种电梯轿厢有无困人图像监控失效辅助分析方法及其系统，该辅助分析方法包括以下步骤：获取电梯启动信号，基于电梯启动信号采集电梯变频器的输出电流；将输出电流与电梯空载时变频器的启动电流比较，若输出电流与启动电流的差值超过轿厢非空载重量的电流量化值，则输出第一反馈信号；基于电梯启动信号采集轿厢按钮指令的登记情况，若轿厢有按钮登记时，则输出第二反馈信号；基于接收的第一反馈信号或者第二反馈信号，输出轿厢内有乘客信息。第一反馈信号和第二反馈信号，只要有一个存在，即判定本次启动运行的轿厢内有乘客，可及时发现轿厢内是否困人，降低安全事故的发生率。且可直接内嵌在电梯控制系统内，减少额外的设备成本。

目标晶粒的区分方法及封装芯片的失效分析方法 697     

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本发明涉及一种目标晶粒的区分方法及封装芯片的失效分析方法，所述目标晶粒的区分方法包括：获取具有多颗晶粒的样品，其中至少一个晶粒为目标晶粒，且至少暴露各晶粒边缘的部分切割道区域；确定所述目标晶粒在所述样品中的位置；通过在部分晶粒边缘的切割道区域内形成激光标记，以区分所述目标晶粒和所述目标晶粒以外的晶粒；将所述多颗晶粒分离；根据各晶粒边缘的切割道区域内是否形成有所述激光标记，分辨出其中的目标晶粒。上述目标晶粒的区分方法能够提高区分效率，并且避免对目标晶粒造成损伤。

用于失效分析的金属软管 781     

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本发明公开了一种用于失效分析的金属软管，包括软管本体及连接所述软管本体的连接部，所述连接部包括连接所述软管本体一端的法兰连接件及连接所述软管本体另一端的卡扣连接件，所述卡扣连接件包括设于所述软管本体一端的卡孔结构以及与所述卡孔结构配合使用的卡扣结构，所述卡扣结构包括靠近所述软管本体一端的第一端部、远离所述软管本体一端的第二端部以及连接所述第二端部及所述第一端部的中间部，所述中间部的截面直径小于所述第一端部的截面直径，所述卡扣结构通过插置于所述卡孔结构中以实现所述卡扣结构与所述软管本体之间的快速连接。本发明中通过设置卡扣连接件使得金属软管能够与卡扣结构快速连接，从而提高了方便性。

基于失效机理分析的断路器缺陷定位方法 1053     

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一种基于失效机理分析的断路器缺陷定位方法，所述缺陷定位方法包括：采集断路器的故障历史数据；对历史数据分类整理，构建故障树模型；对故障树进行FMMEA分析，确定故障的优先级即各故障模式的危害程度；以各种故障模式的危害程度计算结果作为依据，进行故障的危害程度大小排序，得出设计上、结构上或者运行中的系统薄弱环节，从确定断路器可能发生缺陷的定位分布。本发明不仅可以分析故障原因，还可得出故障产生与发展机理，进而加强有针对性的设备缺陷排查。

基于机器学习分析图像伪影和成像系统失效的方法和系统 976     

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本发明题为“基于机器学习分析图像伪影和成像系统失效的方法和系统”。本发明公开了用于解决医疗成像设备的误动作的方法和系统。该方法包括通过使用已训练的机器学习模型对由医疗成像设备获取的医疗图像中的图像伪影的类型进行分类。该方法还包括分析与医疗图像的获取相关联的系统数据，以识别可能对该类型的图像伪影有贡献的一个或多个系统参数；以及基于所识别的一个或多个系统参数来提供用于解决图像伪影的动作。

自动识别芯片物理缺陷的失效分析方法 758     

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本发明涉及自动识别芯片物理缺陷的失效分析方法，涉及半导体集成电路失效分析技术，通过扫描电镜图像抓取，对抓取的图形进行版图提取形成提取版图，版图查找并将提取版图在完整的芯片原始版图中找到对应的部分并做叠层处理形成叠层版图，然后叠层版图粗略识别，叠层版图精确识别完成物理缺陷的自动识别，不需要人工肉眼观察，因此效率高且准确率高。

基于无网格法的核反应堆燃料元件失效分析方法 1059     

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一种基于无网格法的核反应堆燃料元件失效分析方法，步骤如下：1、建立粒子几何模型，初始化粒子参数；2、更新邻点粒子，计算权重函数和粒子数密度；3、能量守恒计算，更新粒子焓值、温度和相态；4、共晶反应计算，更新粒子物质含量和物性，更新粒子焓值、温度和相态；6、计算流体重力、粘性和表面张力，估算流体粒子速度和位置；7、固体运动计算，更新固体粒子速度和位置；8、粘性修正，更新流体粒子速度和位置；9、更新流体对固体的载荷；10、输出数据。本方法考虑核反应堆燃料元件失效过程中的所有现象；基于无网格法，能够精确捕捉界面变化，相比于网格法，避免大变形中存在网格畸变的问题；算法过程易于实现大规模并行计算。

支柱类设备震后失效概率分析方法 687     

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本申请的一种支柱类设备震后失效概率分析方法，包括：选取支柱类设备样本的聚类指标；采用Sturges经验公式和肘部判别法进行计算，得到最优分类数；根据最优分类数，采用K‑means聚类算法对支柱类设备样本进行分类，得到聚类结果；选取典型支柱类设备样本；建立典型支柱类设备样本的有限元模型；选取地震动参数，并对地震动参数中的PGA进行调幅；将调幅后的PGA依次输入到有限元模型中，计算得到典型支柱类设备样本失效概率；采用对数正太分布函数对典型支柱类设备失效概率进行拟合，得到支柱类设备易损性曲线。本申请通过k‑means聚类法选取少量典型设备样本代替全部样本去计算易损性，降低了计算成本，同时也能保证易损性曲线的结果准确性与普遍适用性。

BGA封装焊接失效的顶切分析法 734     

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本发明公开了一种BGA封装焊接失效的顶切分析法，具体包括以下几个步骤：利用红墨水法结合切片分析法判断IC的焊接效果是否有问题以及断裂处在何处，首先使用红墨水的方法，将有裂痕的焊点，全部浸入红墨水，以判定裂痕产生的时间，然后利用切片分析法将IC(或PCB板)顶层的塑封胶及部分铜基板层去掉；对剩下的部分经过处理后，可得到直接目视的各焊点效果图，由此来判定IC的焊接效果是否有问题，断裂处在何处；本方分析方法是一种比较简单,经济,省时的一种分析方法，整个分析过程不会对分析点有物理及化学的损伤，能够完整的,精准准确的定位问题点。当然，如需要进一步对不良品进行其它分析，同一样品可进一步再次分析。

发光二极管失效分析解剖装置 659     

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本实用新型公开一种发光二极管失效分析解剖装置，包括操作平台、调温加热台及体视显微镜；操作平台设置加热板，该加热板与调温加热台电连接，加热板加热发光二极管表面封装胶体；操作平台置于体视显微镜的视场范围中。本实用新型可以减少损伤LED芯片，提高失效异常分析的准确性，同时提高LED芯片解剖效率。

分析油层套管失效的方法和装置 967     

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本发明实施例公开了一种分析油层套管失效的方法和装置，属于非常规油气资源开发完井工程安全技术领域。所述方法包括：获取目标油气井所处位置的预设范围内不同深度地层的地质参数和工程参数，根据地质参数和工程参数，确定目标油气井的油层套管的风险高发区域的信息，根据地质参数、工程参数和目标油气井的油层套管的风险高发区域的信息，获取油层套管风险高发区域所属地层在压裂过程中的地应力动态变化和岩层变形状况，基于获取到的地应力动态变化和岩层变形状况，确定油层套管变形的产状。采用本发明，可以提高对采用大型分段体积压裂条件下油层套管失效进行分析的准确性。

用于芯片失效分析的图像采集方法及系统 1048     

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本发明公开了一种用于芯片失效分析的图像采集方法及系统。该方法包括：根据金相显微镜（OM）或扫描电镜(SEM)机台提供的通信接口和相关的编程接口，编写上位机应用程序实现：控制金相显微镜机台/扫描电镜机台载物台上的芯片按照用户设置的参数移动，并在其移动过程控制金相显微镜机台的相机对该芯片的不同部位进行持续拍摄、自动保存拍摄所得的图像。通过本发明提供的技术方案能够实现采用金相显微镜机台/扫描电镜机台对其载物台上的芯片的不同位置进行自动、持续拍摄并保存相关图像，实现对失效芯片的大范围、高效率地图像采集。

半导体失效分析探针台用摄像头安装装置 569     

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本实用新型公开了一种半导体失效分析探针台用摄像头安装装置，包括支架(1)和侧边摄像头(3)，侧边摄像头通过支架装在探针台机架(2)上，使侧边摄像头倾斜位于垂直摄像头(21)旁并面向探针；支架包括固定杆(11)、横向调节座(12)、纵向调节座(13)和连接座(14)；固定杆一端与横向调节座连接，另一端与探针台机架连接；纵向调节座一端可移动式装在横向调节座上，连接座可移动式装在纵向调节座上，纵向调节座与连接座的移动方向垂直；侧边摄像头可转动式装在连接座上。本实用新型能扩大摄像头对探针的观察视角，确保探针的正常使用，既能提高半导体芯片失效分析的准确性，又能防止探针扎伤半导体芯片。