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LFT1700C系列高温真空管式炉如图所示，集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用1800型真空成型高纯氧化铝聚轻材料，加热元件为优质硅钼棒。高纯氧化铝管横穿于炉体中间作为炉膛，炉管两端用不锈钢法兰密封，工件式样在管中加热，加热元件均匀分布于炉管两侧，有效的保证了温场的均匀性。测温采用适用于高温环境的“B"型热电偶，直接和式样接触，以提高控温的精确性。它是专为高等院校﹑科研院所及工矿企业对金属，非金属及其它化和物材料在气氛或真空状态下进行高温烧结﹑融化﹑分析而研制的专用设备。
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1200系列八温区真空管式炉LFT1200C2400D200VIII设备主要适用于中小批量材料在高温条件下热处理，集控制系统与炉膛为一体，保温材料使用高纯氧化铝纤维材料，内嵌式加热式与保温材料一体成型。炉管采用高纯石英管，石英管和金属法兰之前采用橡胶挤压密封，加热丝均匀分布于炉管四周，确保良好的温场均匀性。测温采用性能稳定、长寿命(适于中高温检测)的“K"型热电偶，以提高控温的精确性。
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立式淬火炉 LFT1500C 50D30 OP，炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用硅碳棒为加热元件。该设备设计为立式结构，样品由吊丝固定,真空腔室上端配有电磁铁固定吊丝,可在真空条件下完成淬火工作。其炉管为外径Ф30mm的刚玉管，采用法兰来密封。此设备设计是用于样品高温淬火。样品高温处理后，迅速坠落到冰水中或油中，来研究样品在高温状态下的相变和结构。炉体的控制面板配有智能温度调节仪，控制电源开关、电磁铁旋钮开关、主加热工作/停止按钮，工作状态指示灯，以便随时观察本系统的工作状态。
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煅烧炉，集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，加热元件为优质硅碳棒。石英腔体横穿于炉体中间作为炉管，炉管两端用不锈钢法兰密封，工件式样在腔体内加热，加热元件均匀分布于腔体下侧，有效的保证了温场的均匀性。测温采用适用于高温环境的“S"型热电偶。煅烧炉能够快速开启，快速升降温，方便客户对特殊材料的装载，烧制和观察。炉体的控制面板配有智能温度调节仪，控制电源开关、主加热工作/停止按钮，工作状态指示灯，以便随时观察本系统的工作状态。
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立式高温淬火炉如图所示，集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料，采用电阻丝为加热元件，用于催化剂焙烧，方便催化剂装填和转移。石英玻璃管横穿于炉体中间作为炉膛，炉管上端用选用不锈钢法兰密封，下端可用根据用户要求使用橡胶塞隔热，配有不锈钢双层托架，可放置样品。工件式样在管中加热，加热元件与炉管平行，均匀地分布在炉管外，有效的保证了温场的均匀性。测温采用性能稳定、长寿命的“K”型热电偶，直接和式样接触，以提高控温的精确性。
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该石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。CVD(化学气象沉积系统)常用于表面材料生长、沉积，是一款实验室常用设备。
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碳纳米膜制备设备，由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统，红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃，并可在0-1400℃之间连续可调，垂直式分布热场，三点控温(三段长度平均分配)，设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统，保温材料为加厚型，壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料，加热元件为优质硅碳棒。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。
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设备型号：GXL-15 最高温度：1600℃ 使用温度：RT～1500℃ 炉膛有效容积：200×185×400mm(W×H×D) 炉膛材料：进口氧化铝、高铝和硅酸铝纤维制品 加热元件：优质U型硅钼棒（1800型） 控温点数：1个（B分度热偶） 控温精度：±1℃ 温度均匀性：±5℃（温度1000℃以上，有效区域为炉膛浓缩10%） 温控系统：日本进口64段程序控温仪表，PID参数自整定，超温、断偶报警等保护。 最大加热功率：约12kW 空炉保温功率：约5Kw 供电电源：三相电源，50HZ ，380V±10%；15KW 炉体表面温升： ≤35℃
2019
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滑轨式快速升降温炉是专为生长薄膜石墨烯研制的，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验，操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。
2025年04月11日 ~ 13日 
2025年04月11日 ~ 13日 
2025年04月11日 ~ 13日 
2025年04月24日 ~ 27日 
2025年05月09日 ~ 11日 
