LFT1700C系列高温真空管式炉如图所示,集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用1800型真空成型高纯氧化铝聚轻材料,加热元件为优质硅钼棒。高纯氧化铝管横穿于炉体中间作为炉膛,炉管两端用不锈钢法兰密封,工件式样在管中加热,加热元件均匀分布于炉管两侧,有效的保证了温场的均匀性。测温采用适用于高温环境的“B"型热电偶,直接和式样接触,以提高控温的精确性。它是专为高等院校﹑科研院所及工矿企业对金属,非金属及其它化和物材料在气氛或真空状态下进行高温烧结﹑融化﹑分析而研制的专用设备。
1200系列八温区真空管式炉LFT1200C2400D200VIII设备主要适用于中小批量材料在高温条件下热处理,集控制系统与炉膛为一体,保温材料使用高纯氧化铝纤维材料,内嵌式加热式与保温材料一体成型。炉管采用高纯石英管,石英管和金属法兰之前采用橡胶挤压密封,加热丝均匀分布于炉管四周,确保良好的温场均匀性。测温采用性能稳定、长寿命(适于中高温检测)的“K"型热电偶,以提高控温的精确性。
立式淬火炉 LFT1500C 50D30 OP,炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料,采用硅碳棒为加热元件。该设备设计为立式结构,样品由吊丝固定,真空腔室上端配有电磁铁固定吊丝,可在真空条件下完成淬火工作。其炉管为外径Ф30mm的刚玉管,采用法兰来密封。此设备设计是用于样品高温淬火。样品高温处理后,迅速坠落到冰水中或油中,来研究样品在高温状态下的相变和结构。炉体的控制面板配有智能温度调节仪,控制电源开关、电磁铁旋钮开关、主加热工作/停止按钮,工作状态指示灯,以便随时观察本系统的工作状态。
煅烧炉,集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料,加热元件为优质硅碳棒。石英腔体横穿于炉体中间作为炉管,炉管两端用不锈钢法兰密封,工件式样在腔体内加热,加热元件均匀分布于腔体下侧,有效的保证了温场的均匀性。测温采用适用于高温环境的“S"型热电偶。煅烧炉能够快速开启,快速升降温,方便客户对特殊材料的装载,烧制和观察。炉体的控制面板配有智能温度调节仪,控制电源开关、主加热工作/停止按钮,工作状态指示灯,以便随时观察本系统的工作状态。
立式高温淬火炉如图所示,集控制系统与炉膛为一体。炉衬使用真空成型高纯氧化铝聚轻材料,采用电阻丝为加热元件,用于催化剂焙烧,方便催化剂装填和转移。石英玻璃管横穿于炉体中间作为炉膛,炉管上端用选用不锈钢法兰密封,下端可用根据用户要求使用橡胶塞隔热,配有不锈钢双层托架,可放置样品。工件式样在管中加热,加热元件与炉管平行,均匀地分布在炉管外,有效的保证了温场的均匀性。测温采用性能稳定、长寿命的“K”型热电偶,直接和式样接触,以提高控温的精确性。
该石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。CVD(化学气象沉积系统)常用于表面材料生长、沉积,是一款实验室常用设备。
碳纳米膜制备设备,由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统,红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃,并可在0-1400℃之间连续可调,垂直式分布热场,三点控温(三段长度平均分配),设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统,保温材料为加厚型,壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料,加热元件为优质硅碳棒。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。
滑轨式快速升降温炉是专为生长薄膜石墨烯研制的,也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验,操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。